SET的专利器件—MOSHFET

陈裕权

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正美国哥伦布传感器电子技术公司(SET)的金属-氧化物-半导体异质结构场效应晶体管(MOSHFET)获得专利。这种AlGaN/GaN器件有望成为第一个市售化合物半导体MOS晶体管。在该专利器件中,有一层介电层安置在栅接触与AlGaN/GaN异质结之间,用以阻挡栅泄漏电流,使得漏电流和击穿电压更高。这种AlGaA/GaN基晶体管之所以采用MOS结构,是因为该器件沟道中的电子薄

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来源
《半导体信息》 |2003年第6期|P.19-20|共2页
作者
陈裕权;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类场效应器件;
关键词
MOSHFET SET 场效应晶体管 AlGaN 击穿电压半导体异质结构异质结化合物半导体泄漏电流寄生效应;

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