0.18 μm SOI器件技术抗SET设计加固方法

林家庆; 邓玉良; 裴国旭; 邹黎

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0.18 μm SOI器件技术抗SET设计加固方法

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介绍0.18 μm SOI器件技术中SET(single event transient)的原理模型及设计加固方法；并结合工艺具体参数,利用TCAD仿真工具进行了模拟仿真.探讨SET在0.18 μm SOI器件技术中的微观机理.提出0.18 μm SOI工艺SET设计加固方法.重点在于器件和电路级的探讨与加固,尤其是器件物理结构上的SET机理模型及加固设计.

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来源
《科学技术与工程》 |2013年第29期|8760-8764|共5页
作者
林家庆; 邓玉良; 裴国旭; 邹黎;
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作者单位

深圳市国微电子有限公司,深圳518000;

深圳市国微电子有限公司,深圳518000;

深圳市国微电子有限公司,深圳518000;

深圳市国微电子有限公司,深圳518000;

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正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
SET(single event transient); SEU(single event upset); SOI(silicon on isolation); 辐照加固; 原理模型;

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