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姚进; 周晓彬; 左玲玲; 周昕杰;
中科芯集成电路有限公司;
江苏无锡214072;
抗辐射; 总剂量; 单粒子闩锁; 单粒子翻转; 全局三模冗余;
机译:用于低温工作的超高性能红外CMOS成像器设计的MOSFET建模:0.18 umn模拟/数字CMOS工艺案例
机译:基于0.18μmSOI CMOS工艺的高速低能耗横向集成CBI CMOS缓冲电路
机译:基于DICE和CMOS0.18μm技术的容错延迟滤波技术的抗辐射库
机译:基于0.18μMCMOS工艺的2GHz发射机设计及其线性化,以及基于0.25μM锗硅双极工艺的8 GHz收发器设计(采用GSML方法)。
机译:0.18 µm CMOS工艺中的高速,低偏移动态锁存比较器的设计
机译:基于0.18μm工艺技术的带补偿电路的基于Cmos的带隙基准电压的设计与仿真
机译:mOs测量方法,辐射加固CmOs / sOs存储器的设计原理
机译:使用小于0.18 um CMOS工艺制造镶嵌铜电感器结构的方法
机译:适用于电荷耦合器件的抗辐射硅低温CMOS工艺以及根据该工艺制造的器件
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