一款0.18μm CMOS辐射加固差分压控振荡器

赵振宇; 郭斌; 张民选; 刘衡竹

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一款0.18μm CMOS辐射加固差分压控振荡器

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基于对称负载压控振荡器(VCO)的单粒子瞬变(SET)失效机理,应用设计加固(RHBD)技术分别改进了偏置电路和环形振荡器,设计和实现了一款0.18μm CMOS辐射加固差分VCO.模拟结果表明:加固VCO的SET敏感性大幅降低,同时还降低了抖动对于电源噪声的敏感性.虽然电路结构变化会导致频率下降,但可以通过调整电路尺寸而解决.此外,加固VCO面积开销有所降低,优于其他加固方法.

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来源
《国防科技大学学报》 |2009年第6期|12-17|共6页
作者
赵振宇; 郭斌; 张民选; 刘衡竹;
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作者单位

国防科技大学计算机学院,湖南,长沙,410073;

国防科技大学计算机学院,湖南,长沙,410073;

国防科技大学计算机学院,湖南,长沙,410073;

国防科技大学计算机学院,湖南,长沙,410073;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
单粒子效应; 单粒子瞬变; 压控振荡器; RHBD;

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