高跨导AlGaN/GaN光电子异质结构场效应晶体管

M.Asif Khan; 芦卫

首页> 中文期刊> 《微纳电子技术》 >高跨导AlGaN/GaN光电子异质结构场效应晶体管

高跨导AlGaN/GaN光电子异质结构场效应晶体管

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

报道了在光照下具有高跨导值(高达64mS/mm)的1μm栅 Al_(0.15)Ga_(0.85)N/GaN 异质结构场效应晶体管(HFET),解释了光照下器件跨导和电流的增加是由于沟道中产生的俘获正电荷和导电电子造成的。这些俘获正电荷和导电电子使器件沟道中二维电子气的表面密度增至2×10^(12)cm^(-3),因而降低了源的串联电阻。

著录项

来源
《微纳电子技术》 |1996年第5期|40-41|共2页
作者
M.Asif Khan; 芦卫;
展开▼
作者单位

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结型场效应晶体管;
关键词
场效应晶体管; 异质结构; 跨导;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的阈值电压 [J] . 林兆军 ,赵建芝 ,张敏 . 半导体学报：英文版 . 2007,第z1期
2. 分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料 [J] . 孙殿照 ,王晓亮 ,胡国新 . 固体电子学研究与进展 . 2002,第2期
3. 高跨导AlGaN/GaN HFET器件研究 [J] . 张志国 ,杨瑞霞 ,李丽 . 固体电子学研究与进展 . 2006,第3期
4. 支撑技术AlGaN/GaN HEMT高跨导特性的研究 [J] . 王勇 ,冯震 ,张志国 . 半导体技术 . 2005,第12期
5. 高跨导AlGaN/GaN HEMT器件(英文) [J] . 肖冬萍 ,刘键 ,魏珂 . 半导体学报：英文版 . 2003,第9期
6. 基于AlGaN/GaN缓变异质结的极化掺杂场效应晶体管 [C] . 冯志红 . 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 . 2015
7. AlGaN/GaN/AlGaN/GaN双异质结场效应晶体管中极化库仑场散射机制研究 [A] . 郝笑寒 . 2018

高跨导AlGaN/GaN光电子异质结构场效应晶体管

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅