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光致发光测定6H－SiC中的氮掺杂浓度

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摘要

杂质和本征发光强度可反映出掺杂浓度。本文介绍了一种测量６Ｈ－ＳｉＣ中氮杂质的校准方法。该方法对于１０￣（１４）～１０￣（１６）ｃｍ￣（－３）浓度范围内的ｎ型掺杂都是有效的。并对光致发光实验过程中激励强度、温度的影响以及与受主有关光谱的观测进行了研究。

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来源
《微纳电子技术》 |1995年第5期|40-42|共3页
作者
付士萍;
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作者单位

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正文语种 chi
中图分类 TN304.24;TN304.07;
关键词
碳化硅; 氮; 掺杂浓度; 光致发光; 测定;

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