MOCVD生长带有MQB的量子阱激光器材料

章其麟; 关兴国; 刘英斌; 张正德; 张荣桂

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用ＭＯＣＶＤ生长发射波长为８０８ｎｍ的ＡＬＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱激光器材料。通过在激光器材料的波导中加入多量子势垒（ＭＱＢ）层，有效地限制电子在阱内的复合以及高能电子溢出阱外，从而降低了激光器的阈值电流，提高了它的特征温度。增加了ＭＱＢ后，器件的阈值电流密度Ｉ＿（ｔｈ）从原来的４００～６００Ａ／ｃｍ￣２下降到３００～４００Ａ／ｃｍ￣２，特征温度从１６０Ｋ提高到２１０Ｋ。

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来源
《微纳电子技术》 |1995年第4期|1-7|共7页
作者
章其麟; 关兴国; 刘英斌; 张正德; 张荣桂;
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作者单位

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正文语种 chi
中图分类激光材料及工作物质;
关键词
量子阱; 量子势垒; 砷化镓; 铝; MOCVD; 激光器材料;

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