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三栅极; 多通道; 高电子迁移率晶体管; 漏极电流; 导通电阻; III;
机译:ZrO_2的原子层沉积作为硅上的AIGaN / GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管的栅极电介质
机译:具有互补的金属氧化物半导体兼容非金金属堆叠的硅上亚微米栅极AIGaN / GaN高电子迁移率晶体管的演示
机译:ZrO2的原子层沉积作为硅上的AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管的栅极电介质
机译:蓝宝石上III-氮化物高质量MOVPE生长的新“三步法”
机译:III-氮化物在6氢碳化硅(0001)上的新生长方法。
机译:III-氮化物在β-Ga2O3及其垂直结构LED上的外延
机译:E模式镓氮化物高电子迁移率晶体管对空肠无线电力传输系统波形失真对P型栅极的影响
机译:通过溅射和在α-铁 - 氮化物相中评估巨磁性矩在硅(001)上外延生长的铁 - 氮化物薄膜的物理性质;博士论文
机译:具有分层的栅电极叠层的栅极结构,其包括掺杂的多晶硅层和将金属氮化物沉积在多晶硅层上的,将金属氮化物夹在中间的金属氮化物阻挡层的栅金属层
机译:III-氮化物半导体生长衬底,III-氮化物半导体外延衬底,III-氮化物半导体元件,III-氮化物半导体自立衬底均具有改善的结晶度
机译:III-氮化物半导体基质,III-氮化物表皮基质,III-氮化物半导体元素,III-氮化物自溶基质,以及制备这些基质的方法
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