ST超结MOSFET帮助电桥和ZVS相移转换器实现更高效能

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意法半导体的MDmeshTM DM6 600V MOSFET含有一个快速恢复体二极管,将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。MDmesh DM6MOSFET利用意法半导体先进的载流子寿命控制技术减少反向恢复时间(trr),最大限度地降低续流后关断期间二极管的耗散功率。

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来源
《半导体信息》 |2019年第1期|P.7-7|共1页
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正文语种 CHI
中图分类场效应器件;
关键词
MOSFET; ST; 转换器; ZVS;

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