SiC将会是分立器件和模块共存的市场

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随着半导体材料步入第三代半导体时代,行业巨头在SiC/GaN器件和模块上早已布局多年。事实上,从特性上来讲,SiC和GaN的优势是互补的,应用覆盖了电动汽车(EV)、新能源、光伏逆变器、智能电器、医疗、通信射频。不过从细微差别来说,GaN(氮化镓)晶体管适合于高效率、高频率、高功率密度要求的应用场合;碳化硅(SiC)由于热导率是GaN的三倍以上,因此在高温应用领域具有优势,因此多用于1200V以上高温大电力领域。

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来源
《半导体信息》 |2020年第5期|P.28-30|共3页
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正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
半导体材料; 分立器件; 氮化镓; 高功率密度; GaN; 高温应用; 智能电器; 光伏逆变器;

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