安森美半导体发布新的650 V碳化硅(SiC)MOSFET

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推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),近日发布一系列新的碳化硅(SiC)MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。

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来源
《电子质量》 |2021年第2期|61-62|共2页
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正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
安森美半导体; MOSFET器件; 太阳能逆变器; 开关技术; 功率密度; 高能效;

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