SiHCl3还原工艺的关键参数探究

贾曦; 梅艳; 胡小冬

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SiHCl3还原工艺的关键参数探究

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多晶硅制备方法主要有气液沉积法、流化床法、硅烷热解法、冶金法、物理提纯法、改良西门子法等.改良西门子法由于安全性好、沉积速率高、纯度较高等优点,成为目前应用最广泛的工艺方法.SiHCl3还原是其中一项关键技术,也是主要耗能部分.在国家提倡建设节能降耗、绿色环保型企业的背景下,如何提高SiHCl3一次转化率和Si的沉积速率,从而提高产量和质量,降低能耗,具有重要意义.本文针对该问题探究相关参数和优化方法,结合生产实践,探究合理解决方案.

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来源
《山东化工》 |2018年第11期|96-97,99|共3页
作者
贾曦; 梅艳; 胡小冬;
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作者单位

乐山职业技术学院,四川乐山614000;

乐山职业技术学院,四川乐山614000;

乐山职业技术学院,四川乐山614000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类硅及其无机化合物;
关键词
多晶硅; 节能降耗; 改良西门子法; 还原; 氢化;

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