首页> 中国专利> 一种还原SiCl4制SiHCl3的磁旋转氢气电弧反应器

一种还原SiCl4制SiHCl3的磁旋转氢气电弧反应器

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

鉴于目前国内多晶硅企业使用的热氢还原法还原SiCl4制SiHCl3存在能耗高、SiCl4转化率低及SiHCl3生成率低以及气相白炭黑法处理SiCl4生成的白炭黑经济附加值低，本发明提供了一种能耗低、SiCl4转化率高、SiHCl3生成率高的方法，使气态SiCl4与氢气的混合物在磁旋转的两电极之间发生电弧放电，在氢气等离子体的气氛下还原SiCl4制SiHCl3，通过电弧放电的方式将电能直接转化成热能，提高了电能的利用率，同时氢等离子体的条件大大提高了SiCl4的转化率和SiHCl3生成率，由于SiHCl3是生产多晶硅的主要原料，因此本发明能够实现多晶硅的封闭式生产，达到环保高效的目标。

著录项

公开/公告号CN101875495A

专利类型发明专利
公开/公告日2010-11-03

原文格式PDF
申请/专利权人上海尤仕力等离子体科技有限公司;
展开▼

申请/专利号CN200910050250.5
发明设计人郭文康;须平;张俊亭;郭少峰;
展开▼

申请日2009-04-29
分类号C01B33/107;C01B33/03;
代理机构
代理人
地址 200433 上海市杨浦区国定路335号1号楼8008
入库时间 2023-12-18 00:56:43

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-01-30

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01B33/107 申请公布日:20101103 申请日:20090429

发明专利申请公布后的视为撤回
2010-12-15

实质审查的生效 IPC(主分类):C01B33/107 申请日:20090429

实质审查的生效
2010-11-03

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种还原SiCl4制SiHCl3的磁旋转氢气电弧反应器 [P] . 中国专利： CN101875495A . 2010-11-03
2. 一种具有磁聚电弧作用的磁控旋转电弧传感器 [P] . 中国专利： CN106891074A . 2017-06-27
3. PROCESS FOR THE SEPARATION OF SICL4 AND SIHCL3 FROM A GAS MIXTURE OF THESE HALOGEN SILANES WITH HYDROGEN [P] . CA847784A . 1970-07-28

机译：从这些卤素硅烷与氢气的混合气体中分离出SICL4和SIHCL3的方法
4. A Process for Separating SiCl4 and SiHCl3 from Gas Mixtures with Hydrogen [P] . 英国专利： GB1181202A . 1970-02-11

机译：从含氢气体混合物中分离出SiCl4和SiHCl3的方法
5. A method and distance are used to produce reduced iron in a vertical reactor, the upper reduction zone and the lower reduction zone of the reactor. [P] . CL2011002459A1 . 2012-04-20

机译：一种方法和距离用于在立式反应器，反应器的上部还原区和下部还原区中生产还原铁。

获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号