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6H-SiC埋沟NMOSFET耗尽模式的电流特性分析

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摘要

在考虑杂质不完全离化的作用下,建立了6H-SiC埋沟NMOSFET耗尽模式下的电流解析模型.并通过模型,仿真分析了器件电流随温度的变化情况.在温度达到600k以上时,杂质的不完全离化作用对器件的影响不明显.常温下电流特性模型的仿真结果与实验结果的一致性,说明了本模型的准确性.

著录项

来源
《山西电子技术》 |2008年第4期|72-74|共3页
作者
王玉青; 申君君; 孙燕斌;
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作者单位

重庆邮电大学光电工程学院,重庆,400065;

重庆邮电大学光电工程学院,重庆,400065;

重庆邮电大学光电工程学院,重庆,400065;

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正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
SiC; 埋沟N型MOSFET; 耗尽模式; 不完全离化;

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