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周振义;
无;
沟道治理; 沟道植树; 黄土高原;
机译:从直接隧穿区到福勒-诺德海姆区的p〜+聚栅极p沟道p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中的电子隧穿成分分析
机译:沟道区Al掺杂浓度对4H-SiC沟道N-MOSFET迁移率和阈值电压不稳定性的影响
机译:采用固相扩散的高性能0.15μm埋入沟道pMOSFET,具有极浅的反掺杂沟道区
机译:基于沟道的NLDMOS,在沟道和漂移区具有应力增强的电子迁移率
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:单元晶体管耦合:用p沟道和n沟道FET记录钾电流的研究
机译:错误到:在由D.S.Chauhan和R. Agrawal发表于Vol的D. Schauhan和R. Agrawal发表的,对由收缩纸和多孔基材有多孔基材的沟道中的沟道中的沟道中的MHD流量和传热。 84,5,PP。1034-1046,2011年9月,
机译:不锈钢(ss)V沟道与铝(al)Y沟道底漆室组件(pCa)中助推器界面温度的比较,第1卷
机译:半导体器件包括至少一个沟道区,该沟道区由具有供应区和漏极区的沟道区连接,该控制区具有与供应区的导电类型相反的漏极区和沟道区,该半导体本体包括具有供应区和漏极区的半导体本体,该沟道区至少由沟道区连接。
机译:用于控制电流的半导体结构具有沟道区,该沟道区具有第一导电类型的沟道导电区并且高于沟道区的基本掺杂水平。
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