高温SiC器件及其集成电路在空间电子领域应用展望

贺永宁; 赵小龙; 崔万照

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高温SiC器件及其集成电路在空间电子领域应用展望

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金星、火星等行星空间探索对航天器电子学系统耐高温、抗辐照、抗腐蚀性等提出了严峻挑战。极低温电子学和高温电子学是近年来深空探索中的强烈需求。文章主要阐述高温SiC集成电路的起源,数字、模拟和功率IC的发展历程和研究现状。重点综述分析了高温SiC集成电路设计方法和流片验证的两条技术途径:首先,基于多层外延制造工艺的BJT器件单元及其双极集成电路;其次,基于离子注入掺杂工艺的互补单元及其CMOS集成电路。在此基础上还进一步介绍了高温SiC传感芯片、BCD功率IC及功率模块的应用可靠性验证。目前国际研究现状展示了SiC BJT和CMOS IC研制中大学学术界和半导体企业界的协同创新格局。最后展望了其在深空探索中的潜在应用及其面临的挑战性。本综述对国内研制空间环境用宽禁带半导体SiC高温集成电路及其电子学系统具有借鉴价值。

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来源
《空间电子技术》 |2023年第2期|1-7|共7页
作者
贺永宁; 赵小龙; 崔万照;
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作者单位

西安交通大学电子与信息学部微电子学院西安市微纳电子与系统集成重点实验室;

中国空间技术研究院西安分院空间微波技术重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类 BICMOS（双极-MOS混合）集成电路;电子设备;
关键词
极端环境电子学; SiC宽禁带半导体; 高温集成电路; 深空探索;

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