磁阻式随机存储器(MRAM)重离子单粒子效应试验研究

戈勇; 高一; 梅博; 于庆奎; 孙毅; 张洪伟

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磁阻式随机存储器(MRAM)重离子单粒子效应试验研究

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磁阻式随机存储器(MRAM)作为非电荷存储的非易失存储器在抗辐射性能上有一定的优势,在空间有较好的应用前景.文章分析了MRAM的工作原理,选取典型的MR0A08BCYS35型MRAM存储器为研究对象,进行了重离子单粒子效应敏感性试验研究,在此基础上,利用专用软件Fore CAST计算预估了该种器件空间应用条件下的单粒子在轨翻转率,给出了在轨应用的具体建议.

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来源
《航天器环境工程》 |2018年第6期|561-567|共7页
作者
戈勇; 高一; 梅博; 于庆奎; 孙毅; 张洪伟;
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作者单位

南京理工大学自动化学院;

南京 210094;

航天材料及工艺研究所;

北京 100076;

中国航天宇航元器件工程中心;

北京 100029;

中国航天宇航元器件工程中心;

北京 100029;

中国航天宇航元器件工程中心;

北京 100029;

中国航天宇航元器件工程中心;

北京 100029;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;环境模拟;
关键词
MRAM; 单粒子效应; 单粒子翻转; 单粒子锁定; 翻转率;

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