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董艺; 沈鸣杰; 刘岐;
上海复旦微电子集团股份有限公司;
上海 200433;
Flash工艺; 浮栅器件; NMOS器件; 总剂量效应; 漏电流; 阈值电压;
机译:总剂量辐照对H栅SOI NMOS器件阈值电压的影响
机译:考虑浮体效应的40 nm PD SOI NMOS器件的栅隧穿漏电流行为
机译:MemFlash器件:浮栅晶体管作为用于神经形态计算的忆阻器件
机译:平面平面浮栅NAND闪存器件的理论分析和浮栅/电荷陷阱(CT)融合器件的实验研究,以全面了解电荷存储和工作原理
机译:具有高K电介质和金属栅电极的按比例缩放的NMOS器件的闪烁噪声
机译:由柔性塑料上的ZnO薄膜晶体管组成的纳米浮栅存储器件
机译:基于浮栅电压轨迹的2D存储器件设计材料和器件结构设计
机译:持续评估双极线性器件的总剂量偏差依赖性和ELDRs效应
机译:制造包括浮栅场效应晶体管和逻辑场效应晶体管的集成半导体器件的方法以及相应的器件
机译:能够在编程期间减少浮栅到浮栅耦合效应的非易失性存储器件
机译:用于对非易失性存储器件进行编程以减小浮栅到浮栅耦合效应的方法
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