Lehigh University;
机译:具有超薄高k电介质和金属栅电极的比例Nmos晶体管的量子力学迁移率模型
机译:用于Nmos技术的高k电介质上的Mocvd无氟Wsi_x金属栅电极
机译:具有超薄栅极电介质的高K NMOS晶体管中低频噪声的量子力学处理
机译:具有超薄高k电介质和金属栅电极的缩放NMOS晶体管栅极漏电流的量子机械模型
机译:具有高K电介质和金属栅电极的按比例缩放的NMOS器件的表征和建模
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅介电非晶LaGdO3栅金属氧化物半导体器件