一种基于COTS器件的SiP微系统的抗总剂量效应加固设计与试验评估

许振龙; 伍攀峰; 李杰; 王明贺

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一种基于COTS器件的SiP微系统的抗总剂量效应加固设计与试验评估

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总剂量效应是制约COTS器件空间应用的主要因素之一。为满足空间应用对电子系统高性能、小型化及抗辐射的需求,对一种基于COTS器件的SiP微系统的抗总剂量效应加固方案进行设计,采用模型分析与地面试验结合的方法对微系统的抗总剂量辐射能力进行评估。该评估方法将微系统作为设备与器件的一种结合体,先按照设备进行整体模型评估,后按照器件进行试验评估,提高了评估的效率,具有较强的工程实用价值。^(60)Co γ射线辐照试验结果表明:加固后SiP微系统的抗总剂量能力不低于150 krad(Si),可以满足相关任务应用需要。该微系统的抗总剂量效应加固设计和总剂量效应评估方法可为相关微系统研制提供参考。

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来源
《航天器环境工程》 |2022年第3期|248-254|共7页
作者
许振龙; 伍攀峰; 李杰; 王明贺;
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作者单位

山东航天电子技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类测试和检验;环境模拟;
关键词
SiP微系统; 总剂量效应; 抗辐射加固; 屏蔽模型; 辐照试验;

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