磁控溅射法制备ZAO薄膜的性能分析

张宇

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ZAO薄膜具有电导率高、光学透射率高的优点,且易掺杂、制备成本低廉,是ZnO基透明导电薄膜的重要研究方向。采用磁控溅射法制备ZAO薄膜,利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、UV-8000型紫外-可见分光光度计和四探针测试仪等设备研究了Al掺杂量、衬底温度对ZAO薄膜结构、形貌、光电性能的影响。结果表明,ZAO薄膜晶粒均以c轴(002)方向为主择优取向生长,所有的ZAO薄膜均为纤锌矿结构,薄膜表面平整。随着Al掺杂量的升高,ZnO的(002)衍射峰强度逐渐减弱至消失。薄膜方块电阻随着衬底温度升高先减小后缓慢增大,其中衬底温度为200℃时,方块电阻约为3.64×106Ω/□,导电性最好。而且该薄膜具有较好的可见光范围内平均透过率,约为85%。

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来源
《电大理工》 |2022年第1期|26-30|共5页
作者
张宇;
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作者单位

辽宁开放大学;

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正文语种 chi
中图分类 TB304.2;
关键词
ZAO薄膜; 磁控溅射; 衬底温度; 电阻; 透光率;

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