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蔡宸; 于圣韬;
长春理工大学 理学院;
吉林 长春 130012;
GaSb; 光电阴极; 表面光电压谱; 少子扩散长度;
机译:透射式指数掺杂GaAs光电阴极的热增强外部光电发射理论研究
机译:指数掺杂GaN纳米线光电阴极的量子效率和光电特性研究
机译:均匀掺杂和指数掺杂Ga1-Xalxas / GaAs光电阴极与飞秒激光照明的特征研究
机译:指数掺杂Ga1-xAlxAs / GaAs光电阴极的光学特性研究
机译:用于太阳能转化的纳米结构光催化剂和光伏薄膜的表面光电压谱
机译:感光光电阴极:感光光电阴极的最新进展:从分子染料到半导体量子点(Adv。Sci。4/2018)
机译:铍掺杂Gaas / alas多量子阱的光反射率和表面光电压谱
机译:使用来自掺杂旋涂玻璃源的Zn扩散制备和表征基于Gasb的热光电池
机译:检测包括核苷酸序列和装置在内的小生物物体表面上分子组的位置和类型的电子干扰方法(57)本发明涉及检测生物物体的结构,可用于研究小型生物物体的表面结构物体(例如大分子)并检测其上放置的分子的位置和类型。一种装置,包括具有在其上的由非导电材料制成的基底的基底,光电阴极和阳极,其中在其之间存在用于研究对象的位置和电子散射体。光电阴极内至少有一个窗口,该光电阴极区域与窗口相邻,该窗口由功函数降低的材料制成。窗口通过至少一个狭缝连接到光电阴极之外的区域,其长度超过其宽度。在窗口和狭缝区域下方以较小的深度布置有冷却电极,其中在电极和缝隙区域下方布置有加速电极。
机译:铍掺杂的InAs / GaSb红外超晶格光电二极管
机译:铍掺杂InAs / GaSb红外超晶格光电二极管
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