表面光电压谱

摘要： 在蓝宝石基底上外延生长了多层结构氮化镓光阴极薄膜材料并进行表面光电压测试;对比分析了掺杂类型、厚度和掺杂方式对氮化镓材料表面光电压的影响,确定了多层结构氮化镓材料表面光电压产生机理;借助亚带隙激光辅助,针对均匀掺杂和δ-掺杂氮化镓(GaN)光电阴极薄膜材料进行了表面光电压测试;实验数据表明,相较于均匀掺杂,δ-掺杂可以获得更好生长质量,但也提高了在能级(E_(v)+0.65)eV~(E_(v)+1.07)eV范围的缺陷态密度。

摘要： 以1,4-二氯-2,5-二硝基甲苯为桥联剂,通过一步合成法制备H2 M HTPP卟啉二聚体,用MALDI-TOF质谱表征卟啉二聚体的结构,并研究卟啉二聚体的电化学和光化学性质以及表面光电压光谱(SPS).结果表明,H2 M HTPP卟啉二聚体是一种p型半导体.

摘要： 利用水相合成法制备Cu:ZnSe量子点.采用表面光伏技术和紫外-可见吸收光谱,辅以高分辨透射电子显微镜,激光拉曼谱和X射线衍射图谱,研究掺杂铜对于Cu:ZnSe量子点微结构和光生电荷转移跃迁行为的影响.结果表明,掺铜后Cu:ZnSe量子点主带隙电荷转移跃迁产生的SPV响应强度比未掺铜ZnSe量子点高一倍.Cu:ZnSe量子点对应的主带隙表面光伏响应峰发生明显红移,表明铜掺杂态的电子能级位于导带底附近,并具有受体能级特征.研究发现,由于掺杂Cu2+离子导致ZnSe量子点光学带隙变小,而且变小的程度随掺杂量的增加而有所提高.实验证实,由于Cu2+离子的引入,ZnSe量子点立方闪锌矿结构(111)晶面X射线衍射峰出现分叉现象,它们分别对应于立方硒铜矿(101)和(102)晶面.

摘要： 通过求解一维少数载流子扩散方程,对反射式GaSb光电阴极表面光电压谱理论公式进行了研究.利用MOCVD外延生长掺杂结构不同、吸收层厚度相同的两种阴极材料,通过MIS法表面光电压谱测试和理论拟合发现,指数掺杂结构在后界面符合速率和吸收层厚度相同的情况下能够有效提高GaSb阴极少子扩散长度,主要原因是指数掺杂形成的内建电场有助于光生电子以电场漂移的方式向吸收层表面运动,从而提升GaSb光电阴极的光电发射效率和表面光电压谱.

摘要： 针对一种吸收层和发射层分离式结构的GaSb光电阴极,通过渐变函数描述异质结势垒能带结构,研究了外加偏压对异质结能带结构和GaSb光电阴极光电发射的影响,在以发射层掺杂浓度1×1016cm-3、吸收层掺杂浓度1×1017cm-3、发射层厚度0.5μm的条件下,外加偏压达到10V才能有效地减少异质结势垒对光电子输运的不利影响.

摘要： 采用电化学沉积法在弱酸性溶液中制备n型氧化亚铜晶体,以氯化钠为添加剂实现氯掺杂.研究不同Cl-浓度对氧化亚铜表面形貌及晶体结构的影响,结果表明:氯掺杂可促进氧化亚铜晶体(111)面的生长,但浓度过高会导致铜单质的生成.利用自制的表面光电压测试仪研究了在外加电场作用下氯掺杂前后氧化亚铜晶体的光电压(SPS)谱和相位(PS)谱,结果表明:氯掺杂可以提高载流子浓度,克制反型层的产生,加强Cu2O的n型导电性

摘要： 采用电化学沉积法在弱酸性溶液中制备n型氧化亚铜晶体,以氯化钠为添加剂实现氯掺杂。研究不同Cl^-浓度对氧化亚铜表面形貌及晶体结构的影响,结果表明：氯掺杂可促进氧化亚铜晶体（111）面的生长,但浓度过高会导致铜单质的生成。利用自制的表面光电压测试仪研究了在外加电场作用下氯掺杂前后氧化亚铜晶体的光电压（SPS）谱和相位（PS）谱,结果表明：氯掺杂可以提高载流子浓度,克制反型层的产生,加强Cu2O的n型导电性。

摘要： 本文采用水热法制备了γ-Bi_2Sn_2O_7并研究了其在可见光区的光电响应。Bi_2Sn_2O_7的晶体结构和光电响应特性分别用X射线衍射和表面光电压谱进行表征。研究结果表明,合成的Bi_2Sn_2O_7呈现γ相立方结构,通过吸收光谱估算光学带隙为2.67 e V,比α-Bi_2O_3(2.85 e V)的光学带隙小。Bi_2Sn_2O_7的光电响应相对于α-Bi_2O_3在可见光区展现出一定的优势,同时对外加电压有很强的响应。

摘要： ZnO films with several microstructures including nanoparticles,nanowires arrays,nanorods arrays and nanotubes arrays were prepared with different methods.With Cu4Bi4S9 (CBS) as electron donor,different ZnO microstructures/CBS heterojunctions were fabricated.The steady state surface photovoltage (SPV) indicates that all of heterostructures exhibit the higher photovoltaic response than two components.Moreover,the SPVs present that ZnO nanotubes/CBS is higher than ZnO nanorots/CBS,ZnO nanorots/CBS higher than ZnO nanowires/CBS and ZnO nanowires/CBS higher than ZnO nanoparticles/CBS.Under the low positive bias,the SPVs exhibit the same changing tendency as the steady state.With bias increasing,the surface photovoltage of ZnO nanoparticles/CBS increases quickly.Under +2 V,the SPV of nanoparticles/CBS is similar with ZnO nanotubes/CBS,and higher than other two types of heterojunctions.From microstructure of electron acceptor,thickness of heterojunction,build-in electric field,energy level matching,the comprehensive effect of main factors on the separation and collection efficiency of photogenerated charges were analysed.%采用不同方法分别制备出ZnO纳米颗粒、纳米线、纳米棒、纳米管等4种微结构薄膜,以Cu4Bi4S9 (CBS)纳米带为电子给体制备出ZnO不同微结构/CBS异质结.稳态光电压谱结果表明各异质结构都具有优于单一组分的光伏响应,而且光伏性质呈现出,ZnO纳米管/CBS＞ZnO纳米棒/CBS＞ZnO纳米线/CBS＞ZnO纳米颗粒/CBS的特点.较弱正外电场诱导下各异质结构仍然保持稳态下的光伏响应特性.随着外电场逐步提高,ZnO纳米颗粒/CBS光伏性质增加显著,+2 V电压诱导下,ZnO纳米颗粒/CBS已接近ZnO纳米管/CBS 光伏响应强度,并明显高于另外2类异质结构光伏性质.从电子受体微结构、异质结厚度、内建电场、能级匹配等方面,分析了关键因素的综合作用对光生电荷分离和收集效率的影响.

摘要： The study on photoelectronic characteristics of ZnSe quantum dots (QDs) is of significance for investigating its microelectronic structure and expanding its potential applications because ZnSe QDs has low biologic toxicity. In the present paper, the surface photovoltaic and photoacoustic technologies, and laser Raman, X-ray diffraction, transmission electron microscopy and Foureier transform infrared spectroscopy spectrum are jointly used to probe the microstructures, the photoacoustic and surface photovoltaic characteristics of L-Cysteine-capped ZnSe QDs prepared by water-phase synthesis at different reflux temperatures. The results indicate that the ZnSe QDs with a mean grain size of about 3 nm has a core-shell ZnSe/ZnS/L-Cys structure, in which the sulfhydryl groups in ligand prefer reacting with Zn atom at the (220) face to form the ZnS shell layer between the core-ZnSe and ligand L-Cys. The results show that the QDs with n-type photovoltaic property display a wide range of surface photovoltaic response and weak photoacoustic signal upon the illumination of near ultraviolet to visible light as compared with others QDs with similar core-shell structures in II-VI group. Especially, the strong SPV response and the weak PA signal in a wavelength region of 350–550 nm imply that the photon energies in the range are almost all used to produce the surface photovoltaic (SPV) phenomenon instead of the thermal lattice vibration caused by non-radiative de-excitation process. This reveals the energy complementary relationship between the photoacoustic and the surface photovoltaic phenomena of the QDs. The PA signals appearing in a short wavelength range of 300–350 nm and the Raman peaks located in a high frequency ranges of 1120 cm−1, 1340 cm−1 and 1455 cm−1 are identified as relating closely to the multi-phonon vibration modes of ligand L-Cys. At low reflux temperature, the photoelectric threshold of the SPV response that relates to the core-ZnSe displays a red shift to a certain extent as compared with the bulk ZnSe. The narrowed bandgap may be attributed to quantum confinement effect of the QDs. In addition, the intensity of the SPV response that relates to the core-ZnSe gradually increases with the decrease of the reflux temperature. The results show that the above improved surface photovoltaic characteristics of the QDs may benefit from the reduced average grain size of the ZnSe QDs, thus causing its surface and small-size effects.%ZnSe量子点光电子特性的研究对于其微观电子结构探测和应用领域的扩展具有重要的意义。本文结合表面光伏与光声技术以及激光Raman研究了不同回流温度下制备L-半胱氨酸(L-Cys)为配体核壳结构ZnSe量子点的微结构和光声与表面光伏特性。结果发现,具有n-型光伏特性的ZnSe 量子点在近紫外到可见光范围内展示出优良的表面光伏性质。尤其在波长为350—550 nm范围内光子能量绝大部分用于产生表面光伏效应,而不是用于无辐射跃迁导致的晶格热振动,同时证实了光声与表面光伏效应之间的能量互补关系。实验指认ZnSe量子点在300—350 nm短波区域出现的光声信号和在1120,1340和1455 cm−1高频区域出现的Raman峰与配体L-Cys的多声子振动模式密切相关。实验结果表明,随着回流温度的降低, ZnSe量子点的平均粒径有减小趋势,这在改善样品的表面效应和小尺寸效应的同时,有利于提高核壳结构ZnSe量子点的光伏转换效率。

摘要： 利用溶胶-凝胶法制备不同复合模板剂掺镧纳米晶TiO2。利用表面光伏技术、激光拉曼谱和XRD检测证实，La掺杂可以有效抑制锐钛矿晶粒的生长，控制锐钛矿向金红石的相转变，明显改善样品表面光电子特性。研究发现，模板剂种类对样品表面光伏特性有明显影响；当聚乙二醇与十六烷基三甲基溴化铵或与十八胺的摩尔比均为1:1时，样品的表面光伏响应较强；复合模板剂种类对于晶粒大小有一定影响，但对样品晶型和拉曼振动模式无明显影响。

摘要： 利用溶胶-凝胶法制备不同复合模板剂掺镧纳米晶TiO2。利用表面光伏技术、激光拉曼谱和XRD检测证实，La掺杂可以有效抑制锐钛矿晶粒的生长，控制锐钛矿向金红石的相转变，明显改善样品表面光电子特性。研究发现，模板剂种类对样品表面光伏特性有明显影响；当聚乙二醇与十六烷基三甲基溴化铵或与十八胺的摩尔比均为1:1时，样品的表面光伏响应较强；复合模板剂种类对于晶粒大小有一定影响，但对样品晶型和拉曼振动模式无明显影响。

摘要： 利用溶胶-凝胶法制备不同复合模板剂掺镧纳米晶TiO2。利用表面光伏技术、激光拉曼谱和XRD检测证实，La掺杂可以有效抑制锐钛矿晶粒的生长，控制锐钛矿向金红石的相转变，明显改善样品表面光电子特性。研究发现，模板剂种类对样品表面光伏特性有明显影响；当聚乙二醇与十六烷基三甲基溴化铵或与十八胺的摩尔比均为1:1时，样品的表面光伏响应较强；复合模板剂种类对于晶粒大小有一定影响，但对样品晶型和拉曼振动模式无明显影响。

摘要： 利用溶胶-凝胶法制备不同复合模板剂掺镧纳米晶TiO2。利用表面光伏技术、激光拉曼谱和XRD检测证实，La掺杂可以有效抑制锐钛矿晶粒的生长，控制锐钛矿向金红石的相转变，明显改善样品表面光电子特性。研究发现，模板剂种类对样品表面光伏特性有明显影响；当聚乙二醇与十六烷基三甲基溴化铵或与十八胺的摩尔比均为1:1时，样品的表面光伏响应较强；复合模板剂种类对于晶粒大小有一定影响，但对样品晶型和拉曼振动模式无明显影响。

摘要： 利用溶胶-凝胶法制备不同复合模板剂掺镧纳米晶TiO2。利用表面光伏技术、激光拉曼谱和XRD检测证实，La掺杂可以有效抑制锐钛矿晶粒的生长，控制锐钛矿向金红石的相转变，明显改善样品表面光电子特性。研究发现，模板剂种类对样品表面光伏特性有明显影响；当聚乙二醇与十六烷基三甲基溴化铵或与十八胺的摩尔比均为1:1时，样品的表面光伏响应较强；复合模板剂种类对于晶粒大小有一定影响，但对样品晶型和拉曼振动模式无明显影响。

摘要： 作者利用物理方法制备了n-Si/TiO/偶氮类颜料异质结构材料,并首次从实验中直观地得到功能材料微纳区域表面和界面的光致电荷转移过程的信息.

摘要： 作者利用物理方法制备了n-Si/TiO/偶氮类颜料异质结构材料,并首次从实验中直观地得到功能材料微纳区域表面和界面的光致电荷转移过程的信息.

摘要： 作者利用物理方法制备了n-Si/TiO/偶氮类颜料异质结构材料,并首次从实验中直观地得到功能材料微纳区域表面和界面的光致电荷转移过程的信息.

摘要： 作者利用物理方法制备了n-Si/TiO/偶氮类颜料异质结构材料,并首次从实验中直观地得到功能材料微纳区域表面和界面的光致电荷转移过程的信息.

摘要： 本发明涉及材料化学领域，尤其是光催化材料领域，具体为一种BiOCl表面光电压信号显著增强的制备方法。该方法为：将硝酸铋溶解于冰乙酸中，再加入葡聚糖20000，向硝酸铋‑冰乙酸‑葡聚糖溶液中逐滴加入10 mL KCl溶液（KCl的摩尔数等于硝酸铋的摩尔数）。将生成的沉淀转入水热反应釜水热处理，自然冷却至室温。将粉末用去离子水和酒精洗涤，取出分散在酒精中，干燥后得到样品。经葡聚糖20000辅助后所制备BiOCl样品表面光电压信号在300‑500区间显著增强。本发明操作简便，原料易得、易于实现且安全可靠。

摘要： 本发明提供一种表面光源，包括其中形成密封放电空间的板型光源体、完全形成在光源体的至少一个表面上的电极单元、将电极单元分隔为多个区域并向相应区域施加电压的多路电压施加单元。该电极单元被分隔为多个区域，并且电压被施加于这些区域，从而可以局部控制表面光源的亮度，且实现了针对表面光源的本地调光。

摘要： 本发明属于光催化材料技术领域，具体为一种用于光催化领域的表面光电压信号增强型BiOCl的处理方法。该方法包括步骤1)将适量BiOCl分散于去离子水中，搅拌后水热处理；2)抽滤、洗涤、转移烘干，固体经研磨得到光电压信号增强型BiOCl。本发明表面光电压信号显著增强型BiOCl的处理方法，操作简便、不再添加任何其它化学药品，易于实现且安全可靠。本发明水热处理型BiOCl较未水热处理、水热处理温度过高或者水热处理时间过长的BiOCl在300～400nm区间表面光电压信号显著增强，这对于提高光生电子‑空穴分离具有重要的现实意义。

摘要： 本发明涉及材料化学领域，尤其是光催化材料领域，具体为一种提高BiOCl表面光电压信号的方法。该方法的步骤为：将黑磷粉末分散于一定体积的冰乙酸中，超声分散；加入硝酸铋溶解于黑磷‑冰乙酸悬浮溶液中，向硝酸铋‑冰乙酸‑黑磷悬浮溶液中逐滴加入KCl溶液(KCl的摩尔数等于硝酸铋的摩尔数)。将生成的悬浮体系转入水热反应釜水热反应，待水热反应自然冷却至室温后，将沉淀用去离子水和酒精洗涤，取出真空干燥得到样品。经适量黑磷辅助所制备的BiOCl样品表面光电压信号在300‑400nm区间显著增强。本发明操作简便，易于实现且安全可靠。

摘要： 本发明为一种提高TiO2表面光电压的方法。该方法包括以下步骤：将秸秆芯晒干、打粉、筛分，于惰性气氛焙烧得到秸秆碳；将一定量秸秆碳和钛酸丁酯分散到无水乙醇中；用恒流泵将去离子水逐滴加入到秸秆碳‑钛酸丁酯‑无水乙醇悬浮体系中，搅拌，将悬浊液转移到水热反应釜中进行水热处理，减压抽滤，用去离子水和无水乙醇洗涤，烘干，研细，得到表面光电压信号增强的TiO2样品。本申请通过适量秸秆碳辅助制备可显著提高TiO2的表面光电压信号，该研究对于推进TiO2光催化材料实际应用具有现实意义。另外，本发明表面光电压信号显著增强型TiO2的制备方法，原料价格便宜、易于实现；同时实现废弃秸秆的再利用，有利于环境保护。

摘要： 本发明涉及材料化学领域，具体为一种提高ZnO表面光电压的方法。该方法包括以下步骤：将一定量硝酸锌和巯基丙酸(MPA)溶于去离子水中；称取一定量NaOH溶解在去离子水中；将NaOH溶液用恒流泵逐滴加入到硝酸锌‑MPA水溶液中，搅拌，将悬浊液转移到水热反应釜中进行水热处理，减压抽滤，用去离子水和无水乙醇洗涤，烘干，研细，得到表面光电压信号增强的ZnO样品。本申请通过适量MPA辅助制备可显著提高ZnO的表面光电压信号，该研究对于推进ZnO光催化材料实际应用具有现实意义。另外，本发明原料价格便宜、操作简便，易于实现且安全可靠。

摘要： 本发明涉及一种原子力显微镜和表面光电压谱联用方法，用于测量半导体表面微区的表面光电压谱，解决表面光电压谱不具备空间分辨能力的特点，原子力显微镜和光谱仪是通过斩波器调制可变光波长信号、表面电势变化结合锁相放大器进行联用的，可以给出半导体微区的表面光电压谱和相位角分辨谱图。

摘要： 本发明提供一种测量样品表面光电压谱和发光光谱的装置，包括脉冲入射光源系统、显微镜系统、样品池及电信号采集系统和光谱采集系统，其优点在于，实现对光电材料微区瞬态表面光电压谱的测试，可通过与光谱仪器联用实现发光光谱和发光寿命谱的测量，全面表征材料光生载流子的动力学行为。

摘要： 本发明公开了一种紫外发射材料的表面光电压谱测试装置，包括氘灯光源、斩光器、光栅单色仪、紫外分光光纤、光功率计、光电压池、锁相放大器和计算机；氘灯光源与光栅单色仪之间放置斩光器；紫外分光光纤入射端与光栅单色仪出光口相连，出射端分别与光电压池和光功率计相连；光电压池信号输出端与锁相放大器信号输入端相连；光功率计和锁相放大器通信端口与计算机串口相连。本发明采用完全密闭的紫外分光光纤，可有效降低外界杂散光对表面光电压信号的干扰；光电压池内导电玻璃采用深紫外透明导电玻璃，能够获得强度高、稳定性好的紫外发射材料表面光电压信号。

摘要： 本发明涉及一种原子力显微镜和表面光电压谱联用方法，用于测量半导体表面微区的表面光电压谱，解决表面光电压谱不具备空间分辨能力的特点，原子力显微镜和光谱仪是通过斩波器调制可变光波长信号、表面电势变化结合锁相放大器进行联用的，可以给出半导体微区的表面光电压谱和相位角分辨谱图。