硅微通道列阵氧化形变实验研究

王宇

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硅微通道列阵氧化形变实验研究

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在高温氧化工艺中硅片的翘曲和弯曲现象比较严重,对后续工艺造成很大困难,使器件成品率和性能受到很大的影响,造成该现象的主要原因是因为在二氧化过程中硅和二氧化硅热膨胀系数的差异,由于热膨胀系数随着温度而变化导致形变的产生.从晶体本身分析在热氧化过程中晶体本身产生大量空位在氧化过后温度极速下降导致空位无法扩散,形成空位团,当聚集到一定地步会造成塌崩,形成严重的缺陷导致受到热应力的不均匀,最后导致形变.通过测量硅微通道板不同位置的击穿电压分析导致击穿电压不均匀的原因.

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来源
《科技创新与应用》 |2016年第34期|21-22|共2页
作者
王宇;
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作者单位

长春理工大学;

吉林长春 130022;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
热氧化; 热膨胀; 热应力; 击穿电压;

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