基于APD门模式的单光子探测器的性能分析

艾青; 万钧力; 罗海月

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基于APD门模式的单光子探测器的性能分析

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以InGaAsP/InP雪崩光电二极管(APD)为核心器件的红外单光子探测技术,在量子信息技术领域的广泛应用,使其成为近年的研究热点.根据InGaAsP/InP APD在红外通信波段实现单光子探测的要求和特点,通过APD的门控电路和实验结果分析,探讨了门模式下各种参数与暗计数率、量子效率、量子误码率、信号传输速率之间的关系,为门模参数的选择提供依据.结果表明:偏置电压的大小、门脉冲宽度和周期的选择,对提高探测器性能起着关键的作用.

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来源
《技术与市场》 |2007年第2期|35-37|共3页
作者
艾青; 万钧力; 罗海月;
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作者单位

三峡大学电气信息学院,湖北宜昌,443002;

三峡大学电气信息学院,湖北宜昌,443002;

三峡大学电气信息学院,湖北宜昌,443002;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类辐射探测技术和仪器仪表;
关键词
单光子探测; 雪崩光电二极管; 门模式;

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