碳化硅MOSFET并联技术研究

刘琳; 成俊康; 王志业

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碳化硅功率器件具有更高的开关频率和耐压特性,为了提高碳化硅功率驱动的过流能力,同时降低引线电感,设计一个由4个碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)并联的驱动模块。详细介绍了栅驱动器原理、印制电路板(Printed Circuit Board,PCB)布局以及静态和动态均流性能波形,通过分析验证了电阻等器件参数的差异对均流的影响。

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来源
《通信电源技术》 |2023年第8期|45-47|共3页
作者
刘琳; 成俊康; 王志业;
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作者单位

西安航天动力测控技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET); 开关频率; 驱动; 均流;

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