石墨烯纳米条带场效应管及构建电路研究

江洲

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本文提出一种源漏轻掺杂异质栅结构石墨烯纳米条带场效应晶体管Graphene Nano Ribbon Field-effect Transistor(HMG-LDDS-GNR-FET),采用量子力学模型,研究其电学特性.仿真结果表明,与普通石墨烯纳米场效应晶体管(C-GNRFET)相比,HMG-LDDS-GNRFET的漏电流更小、开关电流比更大,电压增益也更大.该研究结果对碳基材料场效应管器件的设计有指导意义.

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来源
《通讯世界》 |2017年第9期|151|共1页
作者
江洲;
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作者单位

南京邮电大学电子科学与工程学院,南京210003;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
源漏轻掺杂; 异质栅; 石墨烯; 开关电流比;

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