硅外延片背面边缘异常黑斑原因分析及研究

彭永纯; 边娜

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cqvip:随着客户对外延片边缘的关注度不断增加,部门对质量意识的不断提升,针对硅外延片边缘异常黑斑进行原因分析及研究,分别从异物沾污、晶棒缺陷、衬底加工及外延工艺方面展开分析,最终确定此异常现象为衬底加工中倒角工艺过度研磨及外延生长中HCL抛光共同导致。由此,供应商通过进一步改善倒角工艺,提高了外延片边缘质量水平。

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来源
《天津科技》 |2019年第9期|22-23|共2页
作者
彭永纯; 边娜;
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作者单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
硅外延片; 边缘异常; 倒角HCL抛光;

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