磁控溅射制备ZnO/p-Si薄膜异质结的室温气敏特性

王国东; 杨林林; 马鸿雁; 璩光明

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磁控溅射制备ZnO/p-Si薄膜异质结的室温气敏特性

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采用磁控溅射方法在p型Si衬底上制备ZnO纳米薄膜并形成异质结。在溅射气压分别为0.1,1.0,5.0 Pa时制备了不同形貌的ZnO纳米薄膜,并详细分析了ZnO薄膜的表面形貌、结晶质量对异质结I-V特性和室温气敏特性的影响。结果表明:溅射气压为5 Pa时,ZnO薄膜的结晶质量最好,异质结的气敏性能最佳。室温下,在18×10^(-3)的乙醇气体中,当外加偏置电压为18.4 V时,其电流灵敏度最高可达617%。

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来源
《传感器与微系统》 |2022年第5期|27-30|共4页
作者
王国东; 杨林林; 马鸿雁; 璩光明;
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作者单位

河南理工大学物理与电子信息学院;

河南理工大学电气工程与自动化学院;

河南理工大学安全科学与工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类应用物理学;
关键词
ZNO薄膜; 异质结; 室温; 气敏;

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