首页> 中文期刊> 《真空电子技术》 >钛酸钡薄膜的制备及其场发射特性研究

钛酸钡薄膜的制备及其场发射特性研究

         

摘要

利用钛酸钡薄膜替代了金属-氧化物-硅结构冷阴极的氧化物绝缘层,并利用场发射扫描电镜、X射线衍射、EDS分析表征了钛酸钡薄膜.观察到低起始阈值的场发射现象,对可能的场发射机理进行了讨论.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号