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真空分层蒸镀InSb薄膜的研究

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摘要

采用双源分层蒸镀的方法制作ＩｎＳｂ薄膜，将区域熔融技术用于ＩｎＳｂ薄膜的热处理，提高了薄膜的纯度和择优定向程度，室温下电子迁移率达到３００００ｃｍ＾２／（Ｖ·ｓ）。在此基础上，分析了影响ＩｎＳｂ薄膜性能的几个主要因素。

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来源
《真空电子技术》 |1995年第4期|33-3520|共4页
作者
于映; 陈抗生;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN304.23;
关键词
薄膜; 分层蒸镀; 电子迁; 锑化铟;

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