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硅基GaN外延层的SIMS及XPS研究

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摘要

采用真空反应法在硅基上制备出了GaN外延层。利用二次离子质谱和X射线光电子能谱对GaN外延层进行了深度剖析和表面分析。结果表明 ,外延层中Ga和N分布均匀 ;在表面处Ga发生了偏聚 ;外延层中还存在Si,O等杂质 ,但这些并未影响到GaN外延层的物相及发光性能。实验还表明。

著录项

来源
《真空科学与技术学报》 |1999年第5期|345-348|共5页
作者
张昊翔; 叶志镇; 赵炳辉; 袁骏;
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作者单位

浙江大学硅材料国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
外延层; X射线; 光电子能谱; 硅衬底; 氮化镓;

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