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李国芳; 陈飞宏; 普世坤; 柳廷龙; 刘汉保; 陈代凤; 李娇;
云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;
云南鑫耀半导体材料有限公司;
云南中科鑫圆晶体材料有限公司;
昆明云锗高新技术有限公司;
砷化镓晶片; 清洗工艺; 自动清洗; 人工清洗; 衬底中心圈缺陷;
机译:外延硅锗工艺之前单晶片湿法清洗的应用
机译:研究4H-碳化硅衬底和同质外延层的生长机理和缺陷来源。
机译:通过无金属催化剂工艺在硅衬底上生长外延硅纳米线
机译:通过快速热处理工艺消除硅衬底中的缺陷
机译:使用晶片键合技术创建无缺陷高Ge含量(25%)siGe-on-Insulator(sGOI)衬底的方法。
机译:作为衬底的al x ga(1-x),用于红外-led的外延晶片,红外-led,用于衬底的al x ga(1- x)的生产方法,用于制备外延晶片的工艺,用于红外LED的方法和生产红外LED的方法
机译:Gaas衬底的清洗方法,Gaas衬底的制造方法,外延衬底的制造方法以及Gaas晶片
机译:用于制造外延硅晶片的单晶硅衬底的方法以及用于外延硅晶片的单晶硅衬底的制造方法
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