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消除外延衬底中心圈缺陷的晶片清洗工艺研究及应用

         

摘要

针对全自动清洗机清洗的晶片,长外延后衬底易出现中心圈缺陷的问题,采取含有机溶剂乙醇的SC1清洗液、含双氧水和氨水的有机溶液SC2和有机溶液SC3溶液等六个步骤清洗晶片的自动清洗工艺,达到了消除外延衬底中心圈缺陷的效果。

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