公开/公告号CN102263171B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-10-09
原文格式PDF
申请/专利权人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;
申请/专利号CN201110172964.0
申请日2011-06-24
分类号
代理机构
代理人
地址 100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
入库时间 2022-08-23 09:16:34
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-10-09
授权
授权
2012-01-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20110624
实质审查的生效
2011-11-30
公开
公开
机译: 一种利用外延层生长的硅单晶衬底的制造方法(制造用于外延层生长的单晶衬底的方法)
机译: III族氮化物衬底的制造方法,III族氮化物衬底,具有外延层的III族氮化物衬底,具有外延层的III族氮化物衬底的制造方法以及III族氮化物器件的制造方法
机译: III族氮化物衬底的制造方法,III族氮化物衬底,具有外延层的III族氮化物衬底,III族氮化物器件,具有外延层的III族氮化物衬底的制造方法以及III族氮化物器件的制造方法