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【2h】

Structural Electrical Magnetic and Resistive Switching Properties of the Multiferroic/Ferroelectric Bilayer Thin Films

机译：多铁/铁电双层薄膜的结构电磁和电阻转换特性

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Bi0.8Pr0.2Fe0.95Mn0.05O3/Bi3.96Gd0.04Ti2.95W0.05O12 (BPFMO/BGTWO) bilayer thin films with Multiferroic/Ferroelectric (MF/FE) structures were deposited onto Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100) substrates by using the sol-gel method with rapid thermal annealing. The BPFMO/BGTWO thin films exhibited well-saturated ferromagnetic and ferroelectric hysteresis loops because of the electro-magnetic coupling induced by the MF/FE structure. The remnant magnetization (2Mr) and remnant polarization (2Pr) were 4.6 emu/cm3 and 62 μC/cm2, respectively. Moreover, the bipolar I-V switching curves of BPFMO/BGTWO bilayer thin films resistive random access memory (RRAM) devices were discussed, and investigated for LRS/HRS.
机译：将具有多铁/铁电（MF / FE）结构的Bi0.8Pr0.2Fe0.95Mn0.05O3 / Bi3.96Gd0.04Ti2.95W0.05O12（BPFMO / BGTWO）双层薄膜沉积到Pt（111）/ Ti / SiO2 / Si上（100）通过使用溶胶-凝胶法与快速热退火的基板。由于MF / FE结构引起的电磁耦合，BPFMO / BGTWO薄膜呈现出饱和的铁磁和铁电磁滞回线。剩余磁化强度（2Mr）和剩余极化强度（2Pr）分别为4.6 emu / cm 3 和62μC/ cm 2 。此外，还讨论了BPFMO / BGTWO双层薄膜电阻式随机存取存储器（RRAM）器件的双极I-V切换曲线，并针对LRS / HRS进行了研究。

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