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首页> 美国卫生研究院文献>Beilstein Journal of Nanotechnology >Contactless photomagnetoelectric investigations of 2D semiconductors
【2h】

Contactless photomagnetoelectric investigations of 2D semiconductors

机译：二维半导体的非接触式光磁电学研究

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>Background: Applications of two-dimensional (2D) materials in electronic devices require the development of appropriate measuring methods for determining their typical semiconductor parameters, i.e., mobility and carrier lifetime. Among these methods, contactless techniques and mobility extraction methods based on field-effect measurements are of great importance. >Results: Here we show a contactless method for determining these parameters in 2D semiconductors that is based on the photomagnetoelectric (PME) effect (also known as the photoelectromagnetic effect). We present calculated dependences of the PME magnetic moment, evoked in 2D Corbino configuration, on the magnetic field as well as on the intensity and spatial distribution of illumination. The theoretical predictions agree with the results of the contactless investigations performed on non-suspended single-layer graphene. We use the contactless PME method for determining the dependence of carrier mobility on the concentration of electrons and holes induced by a back-gate voltage. >Conclusion: The presented contactless PME method, used in Corbino geometry, is complementary to the mobility extraction methods based on field-effect measurements. It can be used for determining the mobility and diffusion length of carriers in different 2D materials.
机译：>背景：二维（2D）材料在电子设备中的应用要求开发适当的测量方法来确定其典型的半导体参数，即迁移率和载流子寿命。在这些方法中，基于场效应测量的非接触技术和迁移率提取方法非常重要。 >结果：在这里，我们展示了一种基于光磁（PME）效应（也称为光电磁效应）的非接触式方法来确定2D半导体中的这些参数。我们介绍了在2D Corbino配置中诱发的PME磁矩的计算依赖性，以及磁场强度，照明强度和空间分布。理论预测与对非悬浮单层石墨烯的非接触研究的结果一致。我们使用非接触式PME方法确定载流子迁移率对背栅电压感应的电子和空穴浓度的依赖性。 >结论：提出的非接触式PME方法用于Corbino几何结构，是基于场效应测量的迁移率提取方法的补充。它可用于确定不同2D材料中载流子的迁移率和扩散长度。

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