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首页> 美国卫生研究院文献>Journal of Vacuum Science Technology. A Vacuum surfaces and films : an official journal of the American Vacuum Society >Effect of the chamber wall on fluorocarbon-assisted atomic layer etching of SiO2 using cyclic Ar/C4F8 plasma
【2h】

Effect of the chamber wall on fluorocarbon-assisted atomic layer etching of SiO2 using cyclic Ar/C4F8 plasma

机译：腔室壁对使用循环Ar / C4F8等离子体的氟碳辅助的SiO2原子层蚀刻的影响

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The authors studied the effect of the temperature and chemical state of the chamber wall on process performance for atomic layer etching of SiO2 using a steady-state Ar plasma, periodic injection of a defined number of C4F8 molecules, and synchronized plasma-based Ar+ ion bombardment. To evaluate these effects, the authors measured the quartz coupling window temperature. The plasma gas phase chemistry was characterized using optical emission spectroscopy. It was found that although the thickness of the polymer film deposited in each cycle is constant, the etching behavior changed, which is likely related to a change in the plasma gas phase chemistry. The authors found that the main gas phase changes occur after C4F8 injection. The C4F8 and the quartz window react and generate SiF and CO. The emission intensity changes with wall surface state and temperature. Therefore, changes in the plasma gas species generation can lead to a shift in etching performance during processing. During initial cycles, minimal etching is observed, while etching gradually increases with cycle number.
机译：作者研究了腔室壁的温度和化学状态对使用稳态Ar等离子体，周期性注入一定数量的C4F8分子以及基于等离子体的同步Ar + 离子轰击。为了评估这些影响，作者测量了石英耦合窗口的温度。使用光发射光谱法表征等离子体气相化学。已经发现，尽管在每个循环中沉积的聚合物膜的厚度是恒定的，但是蚀刻行为改变了，这很可能与等离子体气相化学的改变有关。作者发现，主要的气相变化发生在注入C4F8之后。 C4F8和石英窗反应并生成SiF和CO。发射强度随壁表面状态和温度而变化。因此，等离子体气体种类产生的变化可导致在处理期间蚀刻性能的变化。在初始循环中，观察到最小的蚀刻，而蚀刻随着循环次数逐渐增加。

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