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High-performance Raman quantum memory with optimal control in room temperature atoms

机译:高性能拉曼量子存储器具有室温原子的最佳控制

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摘要

Quantum memories are essential for quantum information processing. Techniques have been developed for quantum memory based on atomic ensembles. The atomic memories through optical resonance usually suffer from the narrow-band limitation. The far off-resonant Raman process is a promising candidate for atomic memories due to broad bandwidths and high speeds. However, to date, the low memory efficiency remains an unsolved bottleneck. Here, we demonstrate a high-performance atomic Raman memory in 87Rb vapour with the development of an optimal control technique. A memory efficiency of above 82.0% for 6 ns~20 ns optical pulses is achieved. In particular, an unconditional fidelity of up to 98.0%, significantly exceeding the no-cloning limit, is obtained with the tomography reconstruction for a single-photon level coherent input. Our work marks an important advance of atomic memory towards practical applications in quantum information processing.
机译:量子存储器对于量子信息处理至关重要。已经开发了用于基于原子集合的量子存储的技术。通过光共振的原子存储器通常遭受窄带限制。由于宽带宽和高速度,极不谐振的拉曼过程是原子存储的有前途的候选者。但是,迄今为止,低存储效率仍然是未解决的瓶颈。在这里,我们通过优化控制技术的发展展示了 87 Rb蒸气中的高性能原子拉曼存储器。对于6 ns〜20 ns的光脉冲,存储效率达到82.0%以上。特别是,对于单光子级相干输入的层析成像重建,可获得高达98.0%的无条件保真度,大大超过了无克隆限制。我们的工作标志着原子存储向量子信息处理中的实际应用迈出了重要的一步。

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