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具有可编程原子操作的存储器控制器

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本发明公开一种存储器控制器电路(100)，其可耦合到第一存储器电路(125)，例如DRAM，并且包含：第一存储器控制电路(155)，其从所述第一存储器电路读取或对所述第一存储器电路写入；第二存储器电路(175)，例如SRAM；第二存储器控制电路(160)，其被调适成当所请求的数据存储于所述第二存储器电路中时，响应于读取的读取请求而从所述第二存储器电路读取，否则将所述读取请求传送到所述第一存储器控制电路；预定原子操作电路系统(185)；和可编程原子操作电路系统(135)，其被调适成执行至少一个可编程原子操作。所述第二存储器控制电路还将接收到的可编程原子操作请求传送到所述可编程原子操作电路系统并且针对所述第二存储器电路的高速缓存行设置危险位。

著录项

公开/公告号CN111656334A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-11

原文格式PDF
申请/专利权人美光科技公司;
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申请/专利号CN201980010140.8
发明设计人 T·M·布鲁尔;
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申请日2019-01-28
分类号G06F13/16(20060101);G06F12/0815(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 08:12:49

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