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【2h】

Tunable electron heating induced giant magnetoresistance in the high mobility GaAs/AlGaAs 2D electron system

机译：高迁移率GaAs / AlGaAs 2D电子系统中可调谐电子加热引起的巨磁阻

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Electron-heating induced by a tunable, supplementary dc-current (Idc) helps to vary the observed magnetoresistance in the high mobility GaAs/AlGaAs 2D electron system. The magnetoresistance at B = 0.3 T is shown to progressively change from positive to negative with increasing Idc, yielding negative giant-magnetoresistance at the lowest temperature and highest Idc. A two-term Drude model successfully fits the data at all Idc and T. The results indicate that carrier heating modifies a conductivity correction σ1, which undergoes sign reversal from positive to negative with increasing Idc, and this is responsible for the observed crossover from positive- to negative- magnetoresistance, respectively, at the highest B.
机译：可调谐的补充直流电流（Idc）引起的电子加热有助于改变高迁移率GaAs / AlGaAs 2D电子系统中观察到的磁阻。随着Idc的增加，B magnet = 0.3 T处的磁阻显示从正向负逐渐变化，在最低温度和最高Idc时产生负的巨磁阻。两项Drude模型成功地拟合了所有Idc和T处的数据。结果表明，载流子加热修改了电导率校正σ1，随着Idc的增加，符号校正从正向变为负，这是观察到的从正向交叉的原因-在最高B处分别为负磁阻。

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