Electron scattering; Quantum theory; Quantum wells; Aluminum gallium arsenides; Barriers; Phonons; Electron mobility; Lithuania; Component report; Foreign reports; Electron phonon scattering;
机译:插入有薄AlAs势垒的调制掺杂AlGaAs / GaAs / AlGaAs量子阱的电导率
机译:在GaAs量子阱中引入了用于极性光子的薄InAs势垒的结果,两势垒AlGaAs / GaAs / AlGaAs异质结构中的电子迁移率增加
机译:N型调制掺杂Algaas / Gaasbi量子井结构的电子传输:Bi和热退火对电子有效质量和电子迁移的影响
机译:具有插入的AlAs单层的GaAs / AlGaAs量子阱中的双极扩散
机译:掺Si的GaAs / AlGaAs多量子阱中电子与电子相互作用的远红外研究。
机译:通过在绝缘GaAs / AlGaAs量子阱的界面处插入超薄InAs层来调整Rashba / Dresselhaus自旋分裂
机译:电子自旋相移中大磁各向异性的检测 在$ [001] $ Gaas / alGaas中的高迁移率二维电子系统 量子阱