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Evidence of weak localization in quantum interference effects observed in epitaxial La0.7Sr0.3MnO3 ultrathin films

机译：La0.7Sr0.3MnO3外延超薄膜中量子干涉效应中弱局部化的证据

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Quantum interference effects (QIEs) dominate the appearance of low-temperature resistivity minimum in colossal magnetoresistance manganites. The T1/2 dependent resistivity under high magnetic field has been evidenced as electron-electron (e-e) interaction. However, the evidence of the other source of QIEs, weak localization (WL), still remains insufficient in manganites. Here we report on the direct experimental evidence of WL in QIEs observed in the single-crystal La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO) ultrathin films deposited by laser molecular beam epitaxy. The sharp cusps around zero magnetic field in magnetoresistance measurements is unambiguously observed, which corresponds to the WL effect. This convincingly leads to the solid conclusion that the resistivity minima at low temperatures in single-crystal manganites are attributed to both the e-e interaction and the WL effect. Moreover, the temperature-dependent phase-coherence length corroborates the WL effect of LSMO ultrathin films is within a two-dimensional localization theory.
机译：在巨大的磁阻锰矿中，量子干扰效应（QIE）主导了最低的低温电阻率。在高磁场下，T 1/2 依赖的电阻率已被证明为电子-电子（e-e）相互作用。但是，在锰矿中，QIE的另一个来源，弱本地化（WL）的证据仍然不足。在这里，我们报道了通过激光分子束外延沉积在单晶La0.7Sr0.3MnO3（LSMO）超薄膜中观察到的QIEs中WL的直接实验证据。在磁阻测量中清楚地观察到零磁场附近的尖锐尖端，这与WL效应相对应。这令人信服地得出了一个可靠的结论，即单晶锰矿在低温下的电阻率最小值归因于e-e相互作用和WL效应。此外，与温度有关的相干长度证实了LSMO超薄膜的WL效应在二维定位理论之内。

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