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【2h】

Work Function Tuning in Two-Dimensional MoS2 Field-Effect-Transistors with Graphene and Titanium Source-Drain Contacts

机译：带有石墨烯和钛源极-漏极触点的二维MoS2场效应晶体管的功函数调整

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摘要

Based on the first principles calculation, we investigate the electronic band structures of graphene-MoS2 and Ti-MoS2 heterojunctions under gate-voltages. By simultaneous control of external electric fields and carrier charging concentrations, we show that the graphene’s Dirac point position inside the MoS2 bandgap is easily modulated with respect to the co-varying Fermi level, while keeping the graphene’s linear band structure around the Dirac point. The easy modulation of graphene bands is not confined to the special cases where the conduction-band-minimum point of MoS2 and the Dirac point of graphene are matched up in reciprocal space, but is generalized to their dislocated cases. This flexibility caused by the strong decoupling between graphene and MoS2 bands enhances the gate-controlled switching performance in MoS2-graphene hybrid stacking-device.
机译：基于第一个原理计算，我们研究了栅极电压下石墨烯-MoS2和Ti-MoS2异质结的电子能带结构。通过同时控制外部电场和载流子电荷浓度，我们显示出MoS2带隙内石墨烯的狄拉克点位置相对于费米能级随变容易进行调制，同时使石墨烯的线性能带结构保持在Dirac点附近。石墨烯带的容易调制不限于在互易空间中MoS2的导带最小点和石墨烯的狄拉克点匹配的特殊情况，而是推广到它们的错位情况。石墨烯和MoS2谱带之间的强去耦引起的这种灵活性增强了MoS2-石墨烯混合堆叠设备中栅极控制的开关性能。

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