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Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual
Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual
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1.
High current density InAsSb/GaSb tunnel field effect transistors
机译:
高电流密度InAsSb / GaSb隧道场效应晶体管
作者:
Dey Anil W.
;
Borg B. Mattias
;
Ganjipour Bahram
;
Ek Martin
;
Dick Kimberly A.
;
Lind Erik
;
Nilsson Peter
;
Thelander Claes
;
Wernersson Lars-Erik
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
2.
Methods for attaining high interband tunneling current in III-Nitrides
机译:
在III族氮化物中获得高带间隧穿电流的方法
作者:
Growden Tyler A.
;
Krishnamoorthy Sriram
;
Nath Digbijoy N.
;
Ramesh Anisha
;
Rajan Siddharth
;
Berger Paul R.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
3.
Role of screening, heating, and dielectrics on high-field transport in graphene
机译:
屏蔽,加热和电介质在石墨烯的高场传输中的作用
作者:
Serov Andrey Y.
;
Zhun-Yong Ong
;
Dorgan Vincent E.
;
Pop Eric
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
4.
Alternative graphene devices: beyond field effect transistors
机译:
替代石墨烯器件:超越场效应晶体管
作者:
Lemme M.C.
;
Vaziri S.
;
Smith A.D.
;
Ostling M.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
5.
Enhanced tunneling current in 1d-1dEdge overlapped TFET's
机译:
1d-1dEdge重叠TFET中增强的隧道电流
作者:
Agarwal Sapan
;
Yablonovitch Eli
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
6.
Metal contacts to MoS2: A two-dimensional semiconductor
机译:
MoS2的金属触点:二维半导体
作者:
Neal Adam T.
;
Liu Han
;
Gu J.J.
;
Ye P.D.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
7.
Bilayer graphene vertical tunneling field effect transistor
机译:
双层石墨烯垂直隧穿场效应晶体管
作者:
Reddy Dharmendar
;
Register Leonard F.
;
Banerjee Sanjay K.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
8.
440 V AlSiN-passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistor with 40 GHz bandwidth
机译:
具有40 GHz带宽的440 V AlSiN钝化的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
作者:
Harvard Ekaterina
;
Shealy James R.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
9.
Graphene and topological insulator based transistors: Beyond computing applications
机译:
基于石墨烯和拓扑绝缘体的晶体管:超越计算应用
作者:
Chen Yong P.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
10.
THz detector based on proximity effect of topological insulator
机译:
基于拓扑绝缘子邻近效应的太赫兹探测器
作者:
Li Xiaodong
;
Semenov Yuriy G.
;
Kim Ki Wook
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
11.
Transverse-field bandgap modulation on graphene nanoribbon transistors by double-self-aligned spacers
机译:
双自对准间隔物对石墨烯纳米带晶体管的横向场带隙调制
作者:
Tung Lieh-Ting
;
Mateus M. Veronica
;
Kan Edwin C.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
12.
MoS2-based devices and circuits
机译:
基于MoS2的设备和电路
作者:
Radisavljevic B.
;
Krasnozhon D.
;
Whitwick M.B.
;
Kis A.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
13.
Highly sensitive III–V nitride based piezoresistive microcantilever using embedded AlGaN/GaN HFET as ultrasonic detector
机译:
使用嵌入式AlGaN / GaN HFET作为超声波检测器的高灵敏度基于III–V氮化物的压阻微悬臂梁
作者:
Talukdar Abdul
;
Qazi Muhammad
;
Koley Goutam
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
14.
Possible applications of topological insulator thin films for tunnel FETs
机译:
隧道FET的拓扑绝缘体薄膜的可能应用
作者:
Chang Jiwon
;
Register Leonard F.
;
Banerjee Sanjay K.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
15.
Improved GaN-based HEMT performance by nanocrystalline diamond capping
机译:
通过纳米晶金刚石封盖改善了基于GaN的HEMT性能
作者:
Anderson T.J.
;
Hobart K.D.
;
Tadjer M.J.
;
Feygelson T.I.
;
Imhoff E.A.
;
Meyer D.J.
;
Katzer D.S.
;
Hite J.K.
;
Kub F.J.
;
Pate B.B.
;
Binari S.C.
;
Eddy C.R.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
16.
Solid-state electronics and single-molecule biophysics
机译:
固态电子学与单分子生物物理学
作者:
Shepard Ken
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
17.
Mobility and scattering mechanisms in buried InGaSb quantum well channels integrated with in-situ MBE grown gate oxide
机译:
与原位MBE生长的栅氧化物集成的InGaSb量子阱掩埋通道中的迁移率和散射机理
作者:
Madisetti S.
;
Nagaiah P.
;
Chidambaram T.
;
Tokranov V.
;
Yakimov M.
;
Oktyabrsky S.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
18.
Improved OFF-state breakdown voltage in AlGaN/GaN HEMTs grown on 150-mm diameter silicon-on-insulator (SOI) substrate
机译:
在直径150毫米的绝缘体上硅(SOI)衬底上生长的AlGaN / GaN HEMT中的关态击穿电压得到改善
作者:
Arulkumaran S.
;
Lin V. K. X.
;
Dolmanan S. B.
;
Ng G.I.
;
Vicknesh S.
;
Tan J. P. Y.
;
Teo S. L.
;
Kumar M. Krishna
;
Tripathy S.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
19.
Ga2O3 Schottky barrier diodes fabricated on single-crystal β-Ga2O3 substrates
机译:
在单晶β-Ga2O3衬底上制造的Ga2O3肖特基势垒二极管
作者:
Sasaki Kohei
;
Higashiwaki Masataka
;
Kuramata Akito
;
Masui Takekazu
;
Yamakoshi Shigenobu
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
20.
Experimental demonstration of a wafer-bonded heterostructure based unipolar transistor with In0.53Ga0.47as channel and III-N drain
机译:
基于晶圆结合异质结的单极晶体管的实验演示,该晶体管以In0.53Ga0.47作为沟道和III-N漏极
作者:
Lal Shalini
;
Jing Lu
;
Thibeault Brian
;
Denbaars Steven P.
;
Mishra Umesh K.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
21.
A very reliable multilevel YSZ resistive switching memory
机译:
一个非常可靠的多级YSZ电阻开关存储器
作者:
Pan Feng
;
Jang Jaewon
;
Subramanian Vivek
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
22.
InAs avalanche photodiode with improved electric field uniformity
机译:
具有改善的电场均匀性的InAs雪崩光电二极管
作者:
Maddox S. J.
;
Sun W.
;
Lu Z.
;
Nair H. P.
;
Campbell J. C.
;
Bank S. R.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
23.
Comparison of graphene nanoribbons with Cu and Al interconnects
机译:
石墨烯纳米带与铜和铝互连的比较
作者:
Wang Ning
;
English Chris D.
;
Pop Eric
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
24.
Electrical control of nuclear-spin-induced Hall voltage in an inverted InAs heterostructure
机译:
InAs异质结构中核自旋感应霍尔电压的电控制
作者:
Ishikura Tomotsugy
;
Cui Zhixin
;
Yoh Kanji
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
25.
Reliability improvement achieved by N2O radical treatment for AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors
机译:
通过N2O自由基处理实现的AlGaN / GaN异质结场效应晶体管的可靠性提高
作者:
Hu Cheng-Yu
;
Hashizume Tamotsu
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
26.
SymFET: A proposed symmetric graphene tunneling field effect transistor
机译:
SymFET:一种建议的对称石墨烯隧穿场效应晶体管
作者:
Zhao Pei
;
Feenstra R. M.
;
Gu Gong
;
Jena Debdeep
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
27.
Nanowire phase change memory with carbon nanotube electrodes
机译:
具有碳纳米管电极的纳米线相变存储器
作者:
Xiong Feng
;
Bae Myung-Ho
;
Dai Yuan
;
Liao Albert D.
;
Behnam Ashkan
;
Carrion Enrique
;
Hong Sungduk
;
Ielmini Daniele
;
Pop Eric
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
28.
Characterization and modeling of metal-insulator transition (MIT) based tunnel junctions
机译:
基于金属-绝缘体过渡(MIT)的隧道结的表征和建模
作者:
Freeman E.
;
Kar A.
;
Shukla N.
;
Misra R.
;
Engel-Herbert R.
;
Schlom D.
;
Gopalan V.
;
Rabe K.
;
Datta S.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
29.
278 nm deep ultraviolet LEDs with 11 external quantum efficiency
机译:
278 nm深紫外LED,外部量子效率为11%
作者:
Shatalov Max
;
Sun Wenhong
;
Lunev Alex
;
Hu Xuhong
;
Dobrinsky Alex
;
Bilenko Yuri
;
Yang Jinwei
;
Shur Michael
;
Gaska Remis
;
Moe Craig
;
Garrett Gregory
;
Wraback Michael
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
30.
Comparison of instantaneous crystallization and metastable models in phase change memory cells
机译:
相变存储单元中瞬时结晶和亚稳模型的比较
作者:
Faraclas Azer
;
Williams Nicholas
;
Bakan Gokhan
;
Gokirmak Ali
;
Silva Helena
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
31.
A surface-potential based compact model for GaN HEMTs incorporating polarization charges
机译:
基于表面电势的,包含极化电荷的GaN HEMT紧凑模型
作者:
Jana Raj
;
Jena Debdeep
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
32.
Power reduction in nanomagnetic logic clocking through high permeability dielectrics
机译:
通过高磁导率电介质降低纳米磁性逻辑时钟的功耗
作者:
Li Peng
;
Csaba Gyorgy
;
Sankar Vijay K.
;
Sharon Hu X.
;
Niemier Michael
;
Porod Wolfgang
;
Bernstein Gary H.
会议名称:
《》
|
2012年
33.
Drain-induced-barrier lowering and subthreshold swing fluctuations in 16-nm-gate bulk FinFET devices induced by random discrete dopants
机译:
由随机离散掺杂剂引起的16 nm栅体FinFET器件中的漏极诱导势垒降低和亚阈值摆幅波动
作者:
Su Hsin-Wen
;
Li Yiming
;
Chen Yu-Yu
;
Chen Chieh-Yang
;
Chang Han-Tung
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
34.
Electric field driven domain wall transfer in hybrid structures
机译:
混合结构中电场驱动的畴壁转移
作者:
Duan Xiaopeng
;
Stephanovich Vladimir
;
Semenov Yuriy G.
;
Fangohr Hans
;
Franchin Matteo
;
Kim Ki Wook
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
35.
Ultrafast spin torque memory based on magnetic tunnel junctions with combined in-plane and perpendicular polarizers
机译:
基于磁性隧道结并结合了平面和垂直偏振器的超快速自旋扭矩存储器
作者:
Krivorotov I. N.
;
Rowlands G. E.
;
Rahman T.
;
Katine J. A.
;
Langer J.
;
Lyle A.
;
Zhao H.
;
Alzate J. G.
;
Kovalev A. A.
;
Tserkovnyak Y.
;
Zeng Z. M.
;
Jiang H. W.
;
Galatsis K.
;
Huai Y. M.
;
Khalili Amiri P.
;
Wang K. L.
;
Wang J.-P.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
36.
Tunnel injection GaN/AlN quantum dot UV LED
机译:
隧道注入GaN / AlN量子点UV LED
作者:
Verma Jai
;
Kumar Kandaswamy Prem
;
Protasenko Vladimir
;
Verma Amit
;
Xing Huili
;
Jena Debdeep
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
37.
Physics and scaling prospects of pH-based genome sequencers
机译:
基于pH的基因组测序仪的物理和规模化前景
作者:
Go Jonghyun
;
Alam Muhammad A.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
38.
Ultra-sensitive magnetoelectric sensor with high saturation field
机译:
具有高饱和磁场的超灵敏磁电传感器
作者:
Lei Mei
;
Zhao Fang
;
Feng Li
;
Datta S.
;
Zhang Q. M.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
39.
Phonon limited transport in graphene pseudospintronic devices
机译:
石墨烯伪自旋电子器件中的声子有限传输
作者:
Estrada Z. J.
;
Dellabetta B.
;
Ravaioli U.
;
Gilbert M. J.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
40.
Limits of detection for silicon nanowire BioFETs
机译:
硅纳米线BioFET的检测限
作者:
Rajan Nitin K.
;
Duan Xuexin
;
Vacic Aleksandar
;
Routenberg David A.
;
Reed Mark A.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
41.
Hole-blocking TiO2/silicon heterojunction for silicon photovoltaics
机译:
用于硅光伏的空穴阻挡TiO2 /硅异质结
作者:
Avasthi Sushobhan
;
McClain Will
;
Schwartz Jeffrey
;
Sturm James C.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
42.
All Spin Logic device as a compact artificial neuron
机译:
所有自旋逻辑设备都作为紧凑的人工神经元
作者:
Sarkar Angik
;
Behin-Aein Behtash
;
Srinivasan Srikant
;
Datta Supriyo
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
43.
Experimental demonstration of “Cold” low contact resistivity ohmic contacts on moderately doped n-Ge with in-situ atomic hydrogen clean
机译:
原位原子氢清洗在中等掺杂的n-Ge上“冷”低接触电阻率欧姆接触的实验演示
作者:
Agrawal Ashish
;
Park Jeongwon
;
Mohata Dheeraj
;
Ahmed Khaled
;
Datta Suman
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
44.
N-polar GaN/InAlN MIS-HEMT with 400-GHz ƒmax
机译:
N极性GaN / InAlN MIS-HEMT,最大400 GHz
作者:
Denninghoff D.
;
Lu J.
;
Laurent M.
;
Ahmadi E.
;
Keller S.
;
Mishra U. K.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
45.
NanoMagnet logic
机译:
NanoMagnet逻辑
作者:
Porod Wolfgang
;
Li Peng
;
Shah Faisal
;
Siddiq Mohammad
;
Varga Edit
;
Csaba Gyorgy
;
Sankar Vijay
;
Bernstein Gary H.
;
Hu X. Sharon
;
Niemier Michael
;
Nahas Joseph
;
Orlov Alexei
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
46.
Will strong quantum confinement effect limit low VCC logic application of III–V FINFETs?
机译:
强大的量子限制效应会限制III–V FINFET的低VCC逻辑应用吗?
作者:
Nidhi A.
;
Saripalli V.
;
Narayanan V.
;
Kimura Y.
;
Arghavani R.
;
Datta S.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
47.
Epitaxialy defined (ED) FinFET: to reduce VT variability and enable multiple VT
机译:
外延定义(ED)FinFET:减少VT的可变性并启用多个VT
作者:
Mittal S.
;
Gupta S.
;
Nainani A.
;
Abraham M.C.
;
Schuegraf K.
;
Lodha S.
;
Ganguly U.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
48.
New tunnel-FET architecture with enhanced ION and improved Miller Effect for energy efficient switching
机译:
具有增强的ION和改进的米勒效应的新型隧道FET架构,可实现节能开关
作者:
Biswas Arnab
;
Alper Cem
;
De Michielis Luca
;
Ionescu Adrian M.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
49.
Quaternary nitride enhancement mode HFET with 260 mS/mm and a threshold voltage of +0.5 V
机译:
具有260 mS / mm和+0.5 V阈值电压的四元氮化物增强模式HFET
作者:
Ketteniss Nico
;
Reuters Benjamin
;
Hollander Bernhard
;
Hahn Herwig
;
Kalisch Holger
;
Vescan Andrei
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
50.
Pulsed nanosecond characterization of graphene transistors
机译:
石墨烯晶体管的脉冲纳秒表征
作者:
Carrion Enrique
;
Malik Akshay
;
Behnam Ashkan
;
Islam Sharnali
;
Feng Xiong
;
Pop Eric
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
51.
Flicker noise characterization and analytical modeling of homo and hetero-junction III–V tunnel FETs
机译:
均质和异质结III–V隧道FET的闪烁噪声特性和分析模型
作者:
Bijesh R.
;
Mohata D. K.
;
Liu H.
;
Datta S.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
52.
A comprehensive model for crossbar memory arrays
机译:
纵横制存储器阵列的综合模型
作者:
Chen An
;
Krivokapic Zoran
;
Lin Ming-Ren
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
53.
Graphene nanomesh contacts and its transport properties
机译:
石墨烯纳米网接触及其传输性能
作者:
Tao Chu
;
Zhihong Chen
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
54.
Direct measurement of Dirac point and Fermi level at graphene/oxide interface by internal photoemission
机译:
通过内部光发射直接测量石墨烯/氧化物界面的狄拉克点和费米能级
作者:
Xu Kun
;
Zeng Caifu
;
Zhang Qin
;
Ye Peide
;
Wang Kang
;
Richter Curt A.
;
Gundlach David
;
Nguyen Nhan V.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
55.
Mapping a path to the beyond-CMOS technology for computation
机译:
映射超越CMOS技术的计算路径
作者:
Young Ian A.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
56.
An InAs nanowire spin transistor with subthreshold slope of 20mV/dec
机译:
亚阈值斜率为20mV / dec的InAs纳米线自旋晶体管
作者:
Yoh Kanji
;
Cui Z.
;
Konishi K.
;
Ohno M.
;
Blekker K.
;
Prost W.
;
Tegude F.-J.
;
Harmand J.-C.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
57.
Dopant straggle-free heterojunction intra-band tunnel (HIBT) FETs with low drain-induced barrier lowering/thinning (DIBL/T) and reduced variation in OFF current
机译:
无掺杂无杂散带内隧道(HIBT)FET,具有低漏极诱发的势垒降低/变薄(DIBL / T)和减小的截止电流变化
作者:
Gupta Sumeet Kumar
;
Kulkarni Jaydeep P.
;
Datta Suman
;
Roy Kaushik
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
58.
Al2O3/InSb/Si quantum well MOSFETs having an ultra-thin InSb layer
机译:
具有超薄InSb层的Al2O3 / InSb / Si量子阱MOSFET
作者:
Maezawa Koichi
;
Ito Taihei
;
Kadoda Azusa
;
Nakayama Koji
;
Yasui Yuichiro
;
Mori Masayuki
;
Miyazaki Eiji
;
Mizutani Takashi
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
59.
Asymmetric dual-grating gate InGaAs/InAlAs/InP HEMTs for ultrafast and ultrahigh sensitive terahertz detection
机译:
非对称双栅栅InGaAs / InAlAs / InP HEMT用于超快和超高灵敏的太赫兹检测
作者:
Boubanga-Tombet Stephane
;
Tanimoto Yudai
;
Watanabe Takayuki
;
Suemitsu Tetsuya
;
Yuye Wang
;
Minamide Hiroaki
;
Ito Hiromasa
;
Popov Vyacheslav
;
Otsuji T.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
60.
Balancing stress dipolar interactions for fast, low power, reliable switching in multiferroic logic
机译:
平衡应力和偶极相互作用,实现多铁性逻辑中的快速,低功耗,可靠切换
作者:
Munira Kamaram
;
Nadri Souheil
;
Forgues Mark
;
Ghosh Avik W.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
61.
Double slot high-k waveguide grating couplers for silicon photonics
机译:
用于硅光子学的双槽高k波导光栅耦合器
作者:
Naiini Maziar M.
;
Henkel Christoph
;
Malm Gunnar B.
;
Ostling Mikael
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
62.
Self-aligned metal S/D GaSb p-MOSFETs using Ni-GaSb alloys
机译:
使用Ni-GaSb合金的自对准金属S / D GaSb p-MOSFET
作者:
Zota C. B.
;
Kim S. H.
;
Asakura Y.
;
Takenaka M.
;
Takagi S.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
63.
Analysis of terahertz zero bias detectors by using a triple-barrier resonant tunneling diode integrated with a self-complementary bow-tie antenna
机译:
集成自互补蝶形天线的三势垒共振隧穿二极管对太赫兹零偏置检测器的分析
作者:
Suhara Michihiko
;
Takahagi Satoshi
;
Asakawa Kiyoto
;
Okazaki Toshimichi
;
Nakamura Masahito
;
Yamashita Shin
;
Itagaki Yosuke
;
Saito Mitsufumi
;
Tchegho Anselme
;
Keller Gregor
;
Poloczek Artur
;
Prost Werner
;
Tegude Franz-Josef
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
64.
Understanding dual-gate polymer field-effect transistors
机译:
了解双栅聚合物场效应晶体管
作者:
Ha Tae-Jun
;
Sonar Prashant
;
Dodabalapur Ananth
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
65.
Epitaxial Si punch-through based selector for bipolar RRAM
机译:
用于双极RRAM的基于外延Si穿通的选择器
作者:
Bafna P.
;
Karkare P.
;
Srinivasan S
;
Chopra S.
;
Lashkare S.
;
Kim Y.
;
Srinivasan S.
;
Kuppurao S.
;
Lodha S.
;
Ganguly U.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
66.
Record low tunnel junction specific resistivity (< 3×10
−4
Ωcm
2
) in GaN inter-band tunnel junctions
机译:
记录GaN带间隧道结中的低隧道结比电阻率(<3×10
−4 sup>Ωcm
2 sup>)
作者:
Krishnamoorthy Sriram
;
Akyol Fatih
;
Yang Jing
;
Park Pil Sung
;
Myers Roberto C
;
Rajan Siddharth
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
67.
Monolithically integrated E/D-mode InAlN HEMTs with ƒt/ƒmax > 200/220 GHz
机译:
ƒt/ƒmax> 200/220 GHz的单片集成E / D模式InAlN HEMT
作者:
Song Bo
;
Sensale-Rodriguez Berardi
;
Wang Ronghua
;
Ketterson Andrew
;
Schuette Michael
;
Beam Edward
;
Saunier Paul
;
Gao Xiang
;
Guo Shiping
;
Fay Patrick
;
Jena Debdeep
;
Xing Huili Grace
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
68.
Gate-first implant-free InGaAs n-MOSFETs with sub-nm EOT and CMOS-compatible process suitable for VLSI
机译:
具有亚纳米EOT和CMOS兼容工艺的先栅极无注入InGaAs n-MOSFET,适用于VLSI
作者:
Czornomaz L.
;
El Kazzi M.
;
Caimi D.
;
Rossel C.
;
Uccelli E.
;
Sousa M.
;
Marchiori C.
;
Richter M.
;
Siegwart H.
;
Fompeyrine J.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
69.
Electrical evidence of disorder at the SiO2/4H-SiC MOS interface and its effect on electron transport
机译:
SiO2 / 4H-SiC MOS界面无序的电学证据及其对电子传输的影响
作者:
Swandono S.
;
Penumatcha A.
;
Cooper J. A.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
70.
Low-frequency noise in contact and channel regions of ambipolar InAs nanowire transistors
机译:
双极InAs纳米线晶体管的接触区和通道区中的低频噪声
作者:
Delker Collin J.
;
Yunlong Zi
;
Chen Yang
;
Janes David B.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
71.
High performance, large area graphene transistors on quasi-free-standing graphene using synthetic hexagonal boron nitride gate dielectrics
机译:
使用合成六角形氮化硼栅极电介质在准自支撑石墨烯上的高性能,大面积石墨烯晶体管
作者:
Hollander Matthew J.
;
Agrawal Ashish
;
Bresnehan Michael S.
;
LaBella Michael
;
Trumbull Kathleen A.
;
Cavalero Randal
;
Datta Suman
;
Robinson Joshua A.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
72.
Resonant-body silicon nanowire field effect transistor without junctions
机译:
无结的共振体硅纳米线场效应晶体管
作者:
Bartsch Sebastian T.
;
Dupre Cecilia
;
Ollier Eric
;
Ionescu Adrian M.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
73.
Advanced device technologies for defense systems
机译:
防御系统的先进设备技术
作者:
Zolper John C.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
74.
Possible observation of ballistic contact resistance in wide Si MOSFETs
机译:
在宽硅MOSFET中可能观察到弹道接触电阻
作者:
Majumdar Amlan
;
Antoniadis Dimitri A.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
75.
Exploration of vertical MOSFET and tunnel FET device architecture for Sub 10nm node applications
机译:
探索低于10nm节点应用的垂直MOSFET和隧道FET器件架构
作者:
Liu H.
;
Mohata D. K.
;
Nidhi A.
;
Saripalli V.
;
Narayanan V.
;
Datta S.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
76.
High performance solution-processed thin-film transistors based on In2O3 nanocrystals
机译:
基于In2O3纳米晶体的高性能溶液处理薄膜晶体管
作者:
Swisher Sarah L.
;
Volkman Steve
;
Braam Kyle
;
Jang Jaewon
;
Subramanian Vivek
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
77.
Negative differential resistance in short-channel graphene FETs: Semianalytical model and simulations
机译:
短通道石墨烯FET中的负差分电阻:半分析模型和仿真
作者:
Grassi Roberto
;
Low Tony
;
Gnudi Antonio
;
Baccarani Giorgio
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
78.
A figure of merit for oscillator-based thin-film circuits on plastic for high-performance signaling, energy harvesting and driving of actuation circuits
机译:
塑料上基于振荡器的薄膜电路的性能因数,用于高性能信号,能量收集和驱动电路的驱动
作者:
Rieutort-Louis Warren
;
Huang Liechao
;
Hu Yingzhe
;
Sanz-Robinson Josue
;
Wagner Sigurd
;
Sturm James C.
;
Verma Naveen
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
79.
Short-channel enhancement-mode planar GaAs nanowire HEMTs through a bottom-up method
机译:
自底向上方法的短通道增强模式平面GaAs纳米线HEMT
作者:
Xin Miao
;
Chen Zhang
;
Xiuling Li
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
80.
High performance III–V FETs for low power CMOS applications
机译:
适用于低功耗CMOS应用的高性能III–V FET
作者:
Radosavljevic M.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
81.
Dissipative quantum transport in nanoscale transistors
机译:
纳米晶体管中的耗散量子传输
作者:
Guo Jing
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
82.
Organic thin-film transistors for flexible displays and circuits
机译:
用于柔性显示器和电路的有机薄膜晶体管
作者:
Klauk Hagen
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
83.
Fundamental limitations of conventional-FET biosensors: Quantum-mechanical-tunneling to the rescue
机译:
常规FET生物传感器的基本局限性:救援的量子力学隧道
作者:
Sarkar Deblina
;
Banerjee Kaustav
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
84.
Can quasi-saturation in the output characteristics of short-channel graphene field-effect transistors be engineered?
机译:
可以设计短通道石墨烯场效应晶体管的输出特性中的准饱和吗?
作者:
Ganapathi Kartik
;
Lundstrom Mark
;
Salahuddin Sayeef
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
85.
Resistive switching in aluminum nitride
机译:
氮化铝中的电阻开关
作者:
Marinella M.J.
;
Stevens J.E.
;
Longoria E.M.
;
Kotula P.G.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
86.
Recess integration of platelet laser diodes with waveguides on silicon
机译:
血小板激光二极管与硅上的波导的嵌入式集成
作者:
Famenini Shaya
;
Fonstad Clifton G.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
87.
NLSTT-MRAM: Robust spin transfer torque MRAM using non-local spin injection for write
机译:
NLSTT-MRAM:使用非本地自旋注入进行写入的强大自旋传递扭矩MRAM
作者:
Sharad Mrigank
;
Panagopoulos Georgios
;
Augustine Charles
;
Roy Kaushik
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
88.
Silicon monolithic MEMS + photonic systems
机译:
硅单片MEMS +光子系统
作者:
Bhave Sunil A.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
89.
Effect of interfacial phonon-plasmon modes on electrical transport in supported graphene
机译:
界面声子-等离激元模式对负载石墨烯中电输运的影响
作者:
Ong Zhun-Yong
;
Fischetti Massimo V.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
90.
Ultra-thin Body GaN-on-insulator nFETs and pFETs: Towards III-nitride complementary logic
机译:
绝缘体上超薄GaN nFET和pFET:向III型氮化物互补逻辑迈进
作者:
Li Guowang
;
Wang Ronghua
;
Verma Jai
;
Xing Huili
;
Jena Debdeep
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
91.
Transparent diamond-based electrolyzer for integration with solar cell
机译:
透明的基于金刚石的电解槽,可与太阳能电池集成
作者:
Pietzka C.
;
Gao Z.
;
Xu Y.
;
Kohn E.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
92.
1.4 kV breakdown voltage for MOCVD grown AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate
机译:
Si衬底上MOCVD生长的AlGaN / GaN HEMT的1.4 kV击穿电压
作者:
Selvaraj S. Lawrence
;
Watanabe Arata
;
Wakejima Akio
;
Egawa Takashi
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
93.
Inkjet-printed SWCNT films for stretchable electrode and strain sensor applications
机译:
喷墨印刷的SWCNT膜,用于可拉伸电极和应变传感器应用
作者:
Kim Taehoon
;
Byun Junghwan
;
Song Hyunsoo
;
Hong Yongtaek
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
94.
High performance miniaturized NEMS sensors Toward co-integration with CMOS?
机译:
高性能微型NEMS传感器想要与CMOS共集成吗?
作者:
Ernst T.
;
Arcamone J.
;
Philippe J.
;
Martin O.
;
Ollier E.
;
Batude P.
;
Gouttenoire V.
;
Marcoux C.
;
Ricoul F.
;
Dupre C.
;
Colinet E.
;
Rozeau O.
;
Billiot G.
;
Duraffourg L.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
95.
Novel double layer graphene transistors-bilayer pseudospin FETs and 2D-2D tunnel FETs
机译:
新型双层石墨烯晶体管-双层伪自旋FET和2D-2D隧道FET
作者:
Banerjee S.K.
;
Register L.F.
;
Tutuc E.
;
Reddy D.
;
Kim S.
;
Basu D.
;
Corbet C.
;
Colombo L.
;
Carpenter G.
;
MacDonald A.H.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
96.
Low-voltage ZnO double-gate thin film transistor circuits
机译:
低压ZnO双栅薄膜晶体管电路
作者:
Li Yuanyuan V.
;
Ramirez J. Israel
;
Sun Kaige G.
;
Jackson Thomas N.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
97.
Exclusive electrical determination of high-resistance grain-boundaries in poly-graphene
机译:
石墨烯中高电阻晶界的唯一电测定
作者:
Chen Ruiyi
;
Das Suprem R.
;
Jeong Changwook
;
Janes David B.
;
Alam Muhammad A.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
98.
Graphene field-effect transistors with self-aligned spin-on-doping of source/drain access regions
机译:
具有源/漏访问区自对准自旋掺杂的石墨烯场效应晶体管
作者:
Movva Hema C. P.
;
Ramon Michael E.
;
Corbet Chris M.
;
Chowdhury Fahad Sk.
;
Carpenter Gary
;
Tutuc Emanuel
;
Banerjee Sanjay K.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
99.
III–V 4D transistors
机译:
III–V 4D晶体管
作者:
Gu J. J.
;
Wang X. W.
;
Shao J.
;
Neal A. T.
;
Manfra M. J.
;
Gordon R. G.
;
Ye P. D.
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
100.
Vertical InAs nanowire MOSFETs with IDS = 1.34 mA/µm and gm = 1.19 mS/µm at VDS = 0.5 V
机译:
在VDS = 0.5 V时IDS = 1.34 mA / µm和gm = 1.19 mS / µm的垂直InAs纳米线MOSFET
作者:
Persson Karl-Magnus
;
Berg Martin
;
Borg Mattias
;
Jun Wu
;
Sjoland Henrik
;
Lind Erik
;
Wernersson Lars-Erik
会议名称:
《Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual》
|
2012年
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