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Self-aligned full solution process polymer field-effect transistor on flexible substrates

机译：自对准全溶液工艺在柔性基板上的聚合物场效应晶体管

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摘要

Conventional techniques to form selective surface energy regions on rigid inorganic substrates are not suitable for polymer interfaces due to sensitive and soft limitation of intrinsic polymer properties. Therefore, there is a strong demand for finding a novel and compatible method for polymeric surface energy modification. Here, by employing the confined photo-catalytic oxidation method, we successfully demonstrate full polymer filed-effect transistors fabricated through four-step spin-coating process on a flexible polymer substrate. The approach shows negligible etching effect on polymeric film. Even more, the insulating property of polymeric dielectric is not affected by the method, which is vital for polymer electronics. Finally, the self-aligned full polymer field-effect transistors on the flexible polymeric substrate are fabricated, showing good electrical properties and mechanical flexibility under bending tests.
机译：由于固有的聚合物性质的敏感性和软性限制，在刚性无机基材上形成选择性表面能区域的常规技术不适用于聚合物界面。因此，强烈需要找到一种新颖且相容的聚合物表面能改性方法。在这里，通过采用受限的光催化氧化方法，我们成功地展示了通过四步旋涂工艺在柔性聚合物基板上制造的全聚合物场效应晶体管。该方法对聚合物膜的蚀刻作用可忽略不计。甚至，聚合物电介质的绝缘性能不受该方法的影响，这对于聚合物电子学至关重要。最后，在柔性聚合物基板上制造了自对准的全聚合物场效应晶体管，在弯曲测试下显示出良好的电性能和机械柔韧性。

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