• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 美国卫生研究院文献>Scientific Reports >Interface designed MoS2/GaAs heterostructure solar cell with sandwich stacked hexagonal boron nitride
【2h】

Interface designed MoS2/GaAs heterostructure solar cell with sandwich stacked hexagonal boron nitride

机译：界面设计的MoS2 / GaAs异质结构太阳能电池具有夹层堆叠的六方氮化硼

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

MoS2 is a layered two-dimensional semiconductor with a direct band gap of 1.8 eV. The MoS2/bulk semiconductor system offers a new platform for solar cell device design. Different from the conventional bulk p-n junctions, in the MoS2/bulk semiconductor heterostructure, static charge transfer shifts the Fermi level of MoS2 toward that of bulk semiconductor, lowering the barrier height of the formed junction. Herein, we introduce hexagonal boron nitride (h-BN) into MoS2/GaAs heterostructure to suppress the static charge transfer, and the obtained MoS2/h-BN/GaAs solar cell exhibits an improved power conversion efficiency of 5.42%. More importantly, the sandwiched h-BN makes the Fermi level tuning of MoS2 more effective. By employing chemical doping and electrical gating into the solar cell device, PCE of 9.03% is achieved, which is the highest among all the reported monolayer transition metal dichalcogenide based solar cells.
机译：MoS2是具有1.8 eV的直接带隙的分层二维半导体。 MoS2 / bulk半导体系统为太阳能电池设备设计提供了新的平台。与传统的体p-n结不同，在MoS2 /体半导体异质结构中，静电荷转移将MoS2的费米能级移向体半导体，从而降低了所形成结的势垒高度。本文中，我们将六方氮化硼（h-BN）引入MoS2 / GaAs异质结构以抑制静电荷转移，所得MoS2 / h-BN / GaAs太阳能电池的功率转换效率提高了5.42％。更重要的是，夹层h-BN使MoS2的费米能级调谐更加有效。通过在太阳能电池装置中使用化学掺杂和电选通，可实现9.03％的PCE，这在所有已报道的单层过渡金属二卤化硅基太阳能电池中最高。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号