Phase-Change Memory Properties of Electrodeposited Ge-Sb-Te Thin Film

机译：电沉积Ge-Sb-Te薄膜的相变记忆特性

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We report the properties of a series of electrodeposited Ge-Sb-Te alloys with various compositions. It is shown that the Sb/Ge ratio can be varied in a controlled way by changing the electrodeposition potential. This method opens up the prospect of depositing Ge-Sb-Te super-lattice structures by electrodeposition. Material and electrical characteristics of various compositions have been investigated in detail, showing up to three orders of magnitude resistance ratio between the amorphous and crystalline states and endurance up to 1000 cycles.

机译：我们报告了具有各种成分的一系列电沉积Ge-Sb-Te合金的性能。已经表明，可以通过改变电沉积电位以受控的方式改变Sb / Ge比。该方法为电沉积沉积Ge-Sb-Te超晶格结构开辟了前景。已对各种成分的材料和电特性进行了详细研究，显示出非晶态和结晶态之间的电阻率比高达三个数量级，耐力高达1000次循环。

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期刊名称 Nanoscale Research Letters
作者
Ruomeng Huang; Gabriela P. Kissling; Andrew Jolleys; Philip N. Bartlett; Andrew L. Hector; William Levason; Gillian Reid; C. H. ‘Kees’ De Groot;
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作者单位

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年(卷),期 2015(10),-1
年度 2015
页码 432
总页数 7
原文格式 PDF
正文语种
中图分类生化遗传学;生化药理学;
关键词
Phase-change memory Electrodeposition Ge-Sb-Te;

机译：相变存储器;电沉积;Ge-Sb-Te;

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