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一种Ge-Sb-Te三元相变材料薄膜的制备方法

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一种Ge-Sb-Te三元相变材料薄膜的制备方法，涉及一种相变材料薄膜。将导电基片预处理；配制Ge4+离子电解质溶液；配制Sb3+和Te4+离子电解质溶液；恒电位沉积；恒电流沉积。在室温水溶液中通过简单的电化学沉积方法，制备结构稳定、平整致密、杂质含量低、膜层附着力强的Ge-Sb-Te三元相变材料薄膜。能够有效避免采用磁控溅射法、化学气相沉积法或现有的电化学沉积法存在的工艺设备复杂、成本高昂、难以大规模生产等不足；具有成本低廉、生产周期短、制备工艺简单、产物质量稳定等优点，在半导体领域尤其是相变存储材料的制备中有潜在的应用前景。

著录项

公开/公告号CN102560589A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-07-11

原文格式PDF
申请/专利权人厦门大学;
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申请/专利号CN201210058804.8
发明设计人孙志梅;潘元春;周健;萨百晟;
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申请日2012-03-08
分类号C25D9/04(20060101);G11C13/00(20060101);
代理机构厦门南强之路专利事务所;
代理人马应森
地址 361005 福建省厦门市思明南路422号
入库时间 2023-12-18 05:55:46

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-05-13

授权

授权
2012-09-12

实质审查的生效 IPC(主分类):C25D9/04 申请日:20120308

实质审查的生效
2012-07-11

公开

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