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【2h】

Multi-Domain Negative Capacitance Effects in Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor/Metal Stacks: A Phase-field Simulation Based Study

机译：金属-铁电-绝缘体-半导体/金属叠层中的多域负电容效应：基于相场模拟的研究

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( ) Metal-Ferroelectric-Insulator-Metal (MFIM) and ( ) Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor (MFIS) configurations. ( ) Calibration of Landau’s free energy coefficients with experimental - characteristics of 10 nm HZO thin-film. The calibrated Landau coefficients are: , and . ( ) Tabular representation of symbols and their corresponding definitions.

机译：（）金属-铁电绝缘体-金属（MFIM）和（）金属-铁电绝缘体-半导体（MFIS）配置。（）通过实验校准Landau的自由能系数 -10 nm HZO薄膜的特性。校准的Landau系数为和。（）符号及其对应定义的表格表示形式。

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期刊名称 Scientific Reports
作者
Atanu K. Saha; Sumeet K. Gupta;
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作者单位

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年(卷),期 -1(10),-1
年度 -1
页码 -1
总页数 12
原文格式 PDF
正文语种
中图分类
关键词
Electrical and electronic engineering; Electronic devices;

机译：电气电子工程;电子设备;

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