机译:硅/ SrTiO_3界面上的金属电导率和氧空位的X射线写法
Swiss Light Source,Villigen,Switzerland;
Swiss Light Source,Villigen,Switzerland;
Swiss Light Source,Villigen,Switzerland;
Department of Energy Conversion and Storage,Technical University of Denmark,Roskilde,Denmark;
Swiss Light Source,Villigen,Switzerland;
Swiss Light Source,Villigen,Switzerland;
Swiss Light Source,Villigen,Switzerland;
functional oxides; oxide interfaces; oxide surfaces; photoemission spectroscopy;
机译:SrTiO_3氧空位对LaTiO_3 / SrTiO_3异质结构电导率的影响
机译:SrTiO_3衬底中氧空位对LaAlO_3 / SrTiO_3界面电性能的影响
机译:CaHfO_3 / SrTiO_3界面处空位诱导的金属性
机译:氧空位在LAALO_3 / SRTIO_3接口磁性中的作用
机译:使用X射线技术研究硅-二氧化硅薄膜和球磨锡锗(硅)粉末的界面
机译:空位辅助的He-间隙组织及其在fcc-bcc半相干金属界面的元素相互作用
机译:硅电导率和硅/ SRTIO 3界面的金属电导率和氧空位的X射线写入
机译:Bi2sr2Cu2O(7 + x)的新型三元铋氧化物体系的合成电导率和X射线光电子能谱表现出金属电导率。